24小时热门版块排行榜    

查看: 568  |  回复: 1

wangwenjie87

新虫 (初入文坛)

[求助] Ge+注入SiO2薄膜3.0eV(415nm)常温下测试的PL发光峰的光致发光机理是什么?

Ge+注入SiO2薄膜3.0eV(415nm)常温下测试的PL发光峰的光致发光机理是什么?我用的光源是Xe灯。谢谢各位老师,同学帮忙解答。
回复此楼

» 猜你喜欢

已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
可以用两种机理解释:
1)少量的Ge+注入SiO2薄膜,在SiO的禁带中形成陷阱,或色心,在光照条件下,SiO2价带中的电子跃迁到,陷阱或色心处,然后复合反光!
2)大量的Ge注入,会在SiO2薄膜中,偏析形成量子点,量子点具有荧光特性!
2楼2013-05-06 10:04:41
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 wangwenjie87 的主题更新
信息提示
请填处理意见