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[交流]
关于光学性质计算的若干问题讨论
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① 光学晶体是各向异性的，OUTCAR得到的矩阵，实部虚部为什么每一行都要取平均呢，这样的做的物理意义是什么？ ②从OUTCAR的介电常数矩阵通过处理能否得到非线性光学相关系数？公式在哪里能找得到？ 谢谢各位参与讨论 |
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 vasp光学 |
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3楼2013-04-16 12:26:33
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
chenxin1992: 金币+2 2013-04-18 10:45:32
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
chenxin1992: 金币+2 2013-04-18 10:45:32
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取平均的原因可能是为了便于与实验结果相比较。实验上如果用的是粉末样品，光源是非线偏振光的话，电场强度方向沿哪个晶轴的都有，最终结果应该是平均值。 如果用的是单晶样品，取平均的时候就有区别了。我见过的一篇关于六角晶系晶体光学性质的文献中，针对电场强度平行于c轴和垂直于c轴进行了分别讨论。 垂直于C轴时 Epsilon = 0.5 * ( Eps_xx + Eps_yy )；而平行于C轴时 Epsilon = Eps_zz。 如果是二维材料的话，可能只需对Eps_xx + Eps_yy取平均， Eps_zz几乎可以忽略不计。 |
4楼2013-04-17 11:37:02
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
chenxin1992: 金币+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-04-22 21:13:19
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
chenxin1992: 金币+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-04-22 21:13:19
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还有，有个问题想请教下楼主。 vasp wilki上给出的例子中，计算动态介电矩阵有三种近似标准。在不考虑局域场效应的情况下，介电矩阵写在OUTCAR中，更详细的写在vasprun.xml中。一般vasprun.xml中的数据密集度很大，和INCAR中的NEDOS有关，可以直接拿来画图。 但是在考虑局域场效应的情况下，介电矩阵只写在OUTCAR中，不同频率间隔很大，不适合拿来做图。 不知可有参数可以指定频率范围和步长？ 还有一个就是在第二种情况下，OUTCAR中的介电矩阵是“INVERSE MACROSCOPIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in RPA (Hartree))"，也就是一个逆矩阵，是不是要手动求逆之后才能得到正介电矩阵？看例子上直接当作正介电矩阵用了。 [ Last edited by liqizuiyang on 2013-4-17 at 11:48 ] |
5楼2013-04-17 11:47:34
6楼2013-04-18 10:47:09
7楼2013-04-18 14:16:56
8楼2013-04-22 19:26:34
