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[交流]
关于光学性质计算的若干问题讨论
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① 光学晶体是各向异性的,OUTCAR得到的矩阵,实部虚部为什么每一行都要取平均呢,这样的做的物理意义是什么? ②从OUTCAR的介电常数矩阵通过处理能否得到非线性光学相关系数?公式在哪里能找得到? 谢谢各位参与讨论 |
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vasp光学 |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
chenxin1992: 金币+2 2013-04-18 10:45:32
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
chenxin1992: 金币+2 2013-04-18 10:45:32
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取平均的原因可能是为了便于与实验结果相比较。实验上如果用的是粉末样品,光源是非线偏振光的话,电场强度方向沿哪个晶轴的都有,最终结果应该是平均值。 如果用的是单晶样品,取平均的时候就有区别了。我见过的一篇关于六角晶系晶体光学性质的文献中,针对电场强度平行于c轴和垂直于c轴进行了分别讨论。 垂直于C轴时 Epsilon = 0.5 * ( Eps_xx + Eps_yy );而平行于C轴时 Epsilon = Eps_zz。 如果是二维材料的话,可能只需对Eps_xx + Eps_yy取平均, Eps_zz几乎可以忽略不计。 |
4楼2013-04-17 11:37:02
2楼2013-04-16 11:42:43
3楼2013-04-16 12:26:33
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
chenxin1992: 金币+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流,, 2013-04-22 21:13:19
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
chenxin1992: 金币+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流,, 2013-04-22 21:13:19
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还有,有个问题想请教下楼主。 vasp wilki上给出的例子中,计算动态介电矩阵有三种近似标准。在不考虑局域场效应的情况下,介电矩阵写在OUTCAR中,更详细的写在vasprun.xml中。一般vasprun.xml中的数据密集度很大,和INCAR中的NEDOS有关,可以直接拿来画图。 但是在考虑局域场效应的情况下,介电矩阵只写在OUTCAR中,不同频率间隔很大,不适合拿来做图。 不知可有参数可以指定频率范围和步长? 还有一个就是在第二种情况下,OUTCAR中的介电矩阵是“INVERSE MACROSCOPIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in RPA (Hartree))",也就是一个逆矩阵,是不是要手动求逆之后才能得到正介电矩阵?看例子上直接当作正介电矩阵用了。 [ Last edited by liqizuiyang on 2013-4-17 at 11:48 ] |
5楼2013-04-17 11:47:34













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