| 查看: 2796 | 回复: 2 | |||
evanbossccp木虫 (正式写手)
|
[求助]
Silvaco TCAD Atlas 器件仿真问题
|
|
1）Silvaco TCAD Atlas器件仿真问题： 参看附件器件结构，像这样一个器件，相邻P+之间有一定的间距，当我们将P+掺杂浓度和Nwell掺杂浓度取特定值时，P+与P+之间的n区就会完全耗尽（宽度是两倍纵向的耗尽区宽度），理论上而言，纵向和横向的耗尽区宽度应该是一样的，但是我在做仿真时，只能看到纵向的耗尽层宽度和电场变化情况，横向的几乎没有变化（图见附件），我不知道问题在哪里，这个要怎样做？特向您请教，谢谢！ 2）Silvaco TCAD Atlas器件仿真问题： 还是1）中的那个器件，如何仿它的击穿特性曲线？我简化成单个P+N结去仿它的曲线，照着例子中的Curvetrace,EB Model, NEB Model三种方法去仿，结果还是不理想，当我在用curvetrace仿真时，当运行到solve curvetrace语句时，实时输出窗口总会报这样一个错： Error: Erroneous control electrode number. Error: Errors in first non-zero bias solution. Perhaps you should use a smaller bias step. ATLAS version 5.14.0.R aborted at Sun Apr 08 10:36:42 2012 找不到 D:\sedatools\work\1 Photodiode\paper2-In\tmp.FAAA* 找不到 D:\sedatools\work\1 Photodiode\paper2-In\fort.* 软件中example能正常运行，不知道是什么原因，希望您可以帮我分析下，谢谢！ |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Atlas器件仿真问题.docx
2013-04-11 20:20:07, 101.13 K
» 猜你喜欢
上海工程技术大学激光智能制造课题组｜2027级博士研究生招生公告
已经有4人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组招收博士研究生
已经有8人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有4人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
evanbossccp(nono2009代发): 金币+5 2014-01-08 20:30:03
evanbossccp(nono2009代发): 金币+5 2014-01-08 20:30:03
| x方向的网格间距0.5，应该是太大了。在PN结附近，不管是X方向，还是Y方向，0.1的间距都不算密集吧。看不到横向的耗尽层，跟XY的比例有关（X：68.6um，Y：2um）。放大后，x方向的耗尽层也会不精细，就23个网格来表现1个多um的耗尽层。 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
evanbossccp2楼2013-05-28 16:09:36
evanbossccp
木虫 (正式写手)
- 应助: 15 (小学生)
- 金币: 2073.4
- 散金: 74
- 红花: 5
- 帖子: 959
- 在线: 72.8小时
- 虫号: 1569144
- 注册: 2012-01-08
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
3楼2013-12-13 16:47:00
