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evanbossccp

木虫 (正式写手)

[求助] Silvaco TCAD Atlas 器件仿真问题

1)Silvaco TCAD Atlas器件仿真问题:
参看附件器件结构,像这样一个器件,相邻P+之间有一定的间距,当我们将P+掺杂浓度和Nwell掺杂浓度取特定值时,P+与P+之间的n区就会完全耗尽(宽度是两倍纵向的耗尽区宽度),理论上而言,纵向和横向的耗尽区宽度应该是一样的,但是我在做仿真时,只能看到纵向的耗尽层宽度和电场变化情况,横向的几乎没有变化(图见附件),我不知道问题在哪里,这个要怎样做?特向您请教,谢谢!

2)Silvaco TCAD Atlas器件仿真问题:
还是1)中的那个器件,如何仿它的击穿特性曲线?我简化成单个P+N结去仿它的曲线,照着例子中的Curvetrace,EB Model, NEB Model三种方法去仿,结果还是不理想,当我在用curvetrace仿真时,当运行到solve curvetrace语句时,实时输出窗口总会报这样一个错:
Error: Erroneous control electrode number.

Error: Errors in first non-zero bias solution.

Perhaps you should use a smaller bias step.

ATLAS version 5.14.0.R aborted at Sun Apr 08 10:36:42 2012

找不到 D:\sedatools\work\1 Photodiode\paper2-In\tmp.FAAA*

找不到 D:\sedatools\work\1 Photodiode\paper2-In\fort.*

软件中example能正常运行,不知道是什么原因,希望您可以帮我分析下,谢谢!
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  • 附件 1 : Atlas器件仿真问题.docx
  • 2013-04-11 20:20:07, 101.13 K

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zosuli

金虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
evanbossccp(nono2009代发): 金币+5 2014-01-08 20:30:03
x方向的网格间距0.5,应该是太大了。在PN结附近,不管是X方向,还是Y方向,0.1的间距都不算密集吧。看不到横向的耗尽层,跟XY的比例有关(X:68.6um,Y:2um)。放大后,x方向的耗尽层也会不精细,就23个网格来表现1个多um的耗尽层。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2013-05-28 16:09:36
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evanbossccp

木虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by zosuli at 2013-05-28 16:09:36
x方向的网格间距0.5,应该是太大了。在PN结附近,不管是X方向,还是Y方向,0.1的间距都不算密集吧。看不到横向的耗尽层,跟XY的比例有关(X:68.6um,Y:2um)。放大后,x方向的耗尽层也会不精细,就23个网格来表现 ...

不好意思,没来得及给评分
学而优在商,商而优在仕,仕而优在教
3楼2013-12-13 16:47:00
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