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babeface918

铜虫 (初入文坛)

[求助] 关于晶格失配,急求!!!

晶格失配度高达80%左右的材料能否用外延法生长在一起?
同种材料不同晶面之间,80%的失配度理论上能否取向生长在同一个面上?
还有,什么叫晶格失配释放??
提的问题可能有点小白,完全不是半导体外延生长这块的,对于晶格失配完全外行。但是现在急求这方面的信息,请大神帮忙解答!感激不尽!!!!
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avgon

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by babeface918 at 2013-04-03 11:23:16
太感谢你了!!请问你知道有较大失配外延生长方面的文献么?貌似很多文献上都是超过20%就算大了。想找到有没有80%左右适配度的文章。再次请问您一下,同种材料、不同晶面之间,有可能发生mismatch现象么?...

以玻璃做为基底生长一般半导体材料的话,失配过20%很正常。同种材料不同晶面之间当然会发生失配,因为晶格失配的定义式是基于界面两侧材料的晶格常数的,你在a面外延长c面的,a与c晶格常数不一样自然就会产生失配。想要获得较好的外延薄膜最好是找晶格失配小的,否则地基都扭了,将来的大厦肯定难保证质量了。
仰望星空脚踏实地
5楼2013-04-03 16:01:13
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avgon

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
babeface918: 金币+30 2013-04-03 11:24:55
lijunjie84: 金币+1, 辛苦了! 2013-04-03 18:32:59
生长在一起肯定是没问题了,但是会在生长界面产生较大的应力,因此外延生长出来的薄膜的晶体质量会较差,但随着生长厚度的增加,后来生长出来的薄膜的质量会渐渐变好,因为前期生长的材料会不断充当缓冲层,这样晶格失配对于后期长出的材料来说就因为前面的缓冲作用而产生晶格失配减缓或者说释放的效果。当然晶格失配小的材料之间也未必就能生长出晶体质量很好的膜,还要看实验条件中的生长参数。所以基底选择固然重要,但对于生长过程中可能有影响的各个参数的把握也都很重要。
仰望星空脚踏实地
2楼2013-04-02 18:57:09
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babeface918

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by avgon at 2013-04-02 18:57:09
生长在一起肯定是没问题了,但是会在生长界面产生较大的应力,因此外延生长出来的薄膜的晶体质量会较差,但随着生长厚度的增加,后来生长出来的薄膜的质量会渐渐变好,因为前期生长的材料会不断充当缓冲层,这样晶格 ...

太感谢你了!!请问你知道有较大失配外延生长方面的文献么?貌似很多文献上都是超过20%就算大了。想找到有没有80%左右适配度的文章。再次请问您一下,同种材料、不同晶面之间,有可能发生mismatch现象么?
把每一天当作纪念日,把自己当作纪念品
4楼2013-04-03 11:23:16
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babeface918

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by avgon at 2013-04-03 16:01:13
以玻璃做为基底生长一般半导体材料的话,失配过20%很正常。同种材料不同晶面之间当然会发生失配,因为晶格失配的定义式是基于界面两侧材料的晶格常数的,你在a面外延长c面的,a与c晶格常数不一样自然就会产生失配。 ...

谢谢哇!~~~我是做材料合成的,偶然的发现了水热法合成的一个纳米材料,不同的晶面自动长在了一起,有大的lattice mismatch。不知道是不是个可以挖掘的好现象。
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6楼2013-04-03 16:59:41
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