| 查看: 2515 | 回复: 4 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
缺陷形成能 已有1人参与
|
||
|
缺陷形成能的计算公式为：∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei 式中，∆Ef表示缺陷形成能；∆Etot(defect)表示存在缺陷的体系总能量；∆Etot(pure)表示完整晶胞的体系总能量；ni表示缺陷原子个数，Ei表示缺陷的单个原子势能。 请教三个问题： 1. 表示缺陷形成能∆Ef的绝对值越小是不是表示越容易形成； 2. 表示缺陷形成能∆Ef正负性表示什么现象，比如为正的时候是吸热还是放热； 3. ni表示的是缺陷的原子个数，是不是固溶为正号，空位为负号？ |
回复此楼» 猜你喜欢
今天系统多次维护，明天很可能放榜！
已经有5人回复
-
欢迎发来filecode的Mz6后的代码验证其规律
已经有74人回复
-
岩土工程学报什么时候才能终审完呐
已经有4人回复
-
时间戳又变了8-15
已经有25人回复
-
2027广东省杰青
已经有6人回复
-
快农历七夕节了，轻松一下，男人悄悄话，女施主请不要进来。
已经有3人回复
-
哪位老哥知道今年的国自然具体哪一天放榜？
已经有9人回复
-
咱们一起用铁证分析2026国家社科基金中标与否
已经有26人回复
-
我的国基提前知道中了，可是同事的操作让我实在接受不了，怎么会有这样的人
已经有16人回复
-
有时候，自然基金真的不能太认真 （我的申报经验）
已经有12人回复
5楼2014-01-06 13:19:36
shmilylxc
木虫 (正式写手)
- 应助: 139 (高中生)
- 金币: 3765.6
- 散金: 111
- 红花: 5
- 帖子: 533
- 在线: 387.1小时
- 虫号: 1566205
- 注册: 2012-01-06
- 专业: 半导体材料
2楼2013-03-26 09:17:00
3楼2014-01-05 15:52:25
4楼2014-01-05 16:01:35
25