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缺陷形成能 已有1人参与
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缺陷形成能的计算公式为：∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei 式中，∆Ef表示缺陷形成能；∆Etot(defect)表示存在缺陷的体系总能量；∆Etot(pure)表示完整晶胞的体系总能量；ni表示缺陷原子个数，Ei表示缺陷的单个原子势能。 请教三个问题： 1. 表示缺陷形成能∆Ef的绝对值越小是不是表示越容易形成； 2. 表示缺陷形成能∆Ef正负性表示什么现象，比如为正的时候是吸热还是放热； 3. ni表示的是缺陷的原子个数，是不是固溶为正号，空位为负号？ |
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