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缺陷形成能 已有1人参与
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缺陷形成能的计算公式为:∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei 式中,∆Ef表示缺陷形成能;∆Etot(defect)表示存在缺陷的体系总能量;∆Etot(pure)表示完整晶胞的体系总能量;ni表示缺陷原子个数,Ei表示缺陷的单个原子势能。 请教三个问题: 1. 表示缺陷形成能∆Ef的绝对值越小是不是表示越容易形成; 2. 表示缺陷形成能∆Ef正负性表示什么现象,比如为正的时候是吸热还是放热; 3. ni表示的是缺陷的原子个数,是不是固溶为正号,空位为负号? |
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