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zikingma

银虫 (初入文坛)

[求助] 缺陷形成能 已有1人参与

缺陷形成能的计算公式为:∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei
式中,∆Ef表示缺陷形成能;∆Etot(defect)表示存在缺陷的体系总能量;∆Etot(pure)表示完整晶胞的体系总能量;ni表示缺陷原子个数,Ei表示缺陷的单个原子势能。
请教三个问题:
1. 表示缺陷形成能∆Ef的绝对值越小是不是表示越容易形成;
2. 表示缺陷形成能∆Ef正负性表示什么现象,比如为正的时候是吸热还是放热;
3. ni表示的是缺陷的原子个数,是不是固溶为正号,空位为负号?
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shmilylxc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
缺陷形成能越低表示缺陷越容易形成。负号代表形成的过程是放热的,即形成缺陷之后的能量比以前更低。
2楼2013-03-26 09:17:00
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sungjen

银虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by shmilylxc at 2013-03-26 09:17:00
缺陷形成能越低表示缺陷越容易形成。负号代表形成的过程是放热的,即形成缺陷之后的能量比以前更低。

“缺陷形成能越低表示缺陷越容易形成”    请问这个是指绝对值大小吗??
希望有一天成为大神
3楼2014-01-05 15:52:25
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sungjen

银虫 (著名写手)

请问你说的原子势能是指在空的晶胞内添加一个原子算的能量吗?
希望有一天成为大神
4楼2014-01-05 16:01:35
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前田庆次

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 鼓励交流。 2014-01-06 22:09:21
1. 表示缺陷形成能∆Ef的绝对值越小是不是表示越容易形成;
2. 表示缺陷形成能∆Ef正负性表示什么现象,比如为正的时候是吸热还是放热;
3. ni表示的是缺陷的原子个数,是不是固溶为正号,空位为负号?
按照您给出的公式,如果∆Ef为负,表示为放热过程,则体系是稳定的,也就是说,绝对值越大,体系越容易形成,第三个问题我不知道,以上个人经验,希望对您有帮助
长枪一横花飘零,松风追月伴我行。无双人间世如梦,倾奇万世永留名。
5楼2014-01-06 13:19:36
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