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fangyongxinxi新虫 (正式写手)
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[求助]
求助：掺杂位置不同导致结构稳定性不同的态密度解释
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自己建立了一个模型三元合金ABC，supercell-cell之。在这个supercell中，按照supercell的大小和原子的等价位置关系，C原子有三个不同的拓扑取代位置。现用一个D原子去替代ABC-supercell中的一个C原子，因为有三种取代位置，命名为：c_1, c_2, c_4,计算出的能量关系是: C_4 现在的问题是：如何在电子层面上解释下这个结果，比如DOS，电子密度，电子差分密度，成键强度等。 附：他人工作的解释有：DOS在费米能级处能量的高低；赝能隙的宽度；DOS在费米能级处的形状（沟或峰）。自己得出的DOS图如附件，上面三个解释都不能用。能看出的是：结构越稳定的掺杂结构（能量越低的结构c_4），其态密度整体向低能移动的越多，不知道这个能不能说明C_4结构能量最低，结构最稳定。 谢谢~  123.JPG [ Last edited by fangyongxinxi on 2013-3-18 at 09:24 ] |
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