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jzsunjia金虫 (正式写手)
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怎么用SRIM 2006画下面这张图
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图示说明： 用相同能量，但不同剂量的入射离子注入至靶材中。 SRIM怎么设置参数啊，设置哪个参数啊？？？？？ 用SRIM 2006 怎么画啊？用和其他软件连用吗（比如作图软件）？ 求高手指教！！！  Different flunence with same ions energy .jpg |
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jzsunjia
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3楼2013-03-15 13:36:54
yuxiaoinbuaa
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【答案】应助回帖
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jzsunjia: 金币+8, ★★★很有帮助, 前辈说的我大部分能明白，我再试试哦 2013-03-16 11:14:29
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2013-03-17 22:08:01
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SRIM中只需要设置入射能量（必要的话可以设置入射角度），靶的材料。然后已经求出必要的数据来了，1E15，注意后面的单位，ions/cm2，我不知道找的是谁的模拟结果，但是我觉得，这个结果应该是，错误的。因为从单位上来看，这个是很难理解的。因为横坐标是一个单位，但是纵坐标是ions/cm2。在一定深度的表面剂量，这是很奇怪的，应该是ions/cm3比较正常。如果我没记错，SRIM直接算出来的结果的单位应该是cm2/cm3，这样的话，乘上一个表面剂量，单位就变成了ions/cm3，即空间中一定深度的离子浓度。 SRIM计算的结果都在SRIM Output文件夹中，建议把里边的文件倒出来用Origin作图。这就意味着，要在Origin中做乘上表面剂量的运算。可以下载新的SRIM2013版，里边有简体中文的说明，其中一个掺杂问题的说明就有解决这个问题的办法。 祝好运。 |
4楼2013-03-16 00:58:26
jzsunjia
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5楼2013-03-16 11:27:32
jzsunjia
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你说的这张图，我在SRIM中输出过，但是和文献对比发现不对，我帖子中所发的那张图是一个老外的文献中截取的，他画的就是用这个单位，这篇文献标题为Ion-beam synthesis of 3C-SiC surface layers on silicon（2011，作者T. Hopf et al），如果你下载不到，可以给我发邮件jiaozuosunjia@163.com. 以下是另外一篇文献中的SRIM图形,他用的单位是atom/cm3（文献Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon，2010，P.R. Poudel et al） 你看他画的这张图和你发的图是不是一样，只是乘了个表面剂量1E17和6E16吗？？？？ 那如果是的话，他用的纵坐标的量级怎么变为21次方呢？？？ 小生愚钝，希望原谅哦。  1.jpg  2.jpg |
8楼2013-03-16 20:12:23
