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硅基太阳能电池PECVD减反射钝化膜(氮化硅)中的键含量测试
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在许多文献看到用FT-ir测试薄膜中的键浓度,主要是Si-H、N-H,但是测试样品如何制备没有相信说明,用过一次三氯氧磷扩散、PECVD镀膜后的硅片去测的,振动峰很杂,跟文献上完全不同,有大牛解惑下么? 主要目的: 1.主要考虑到膜的钝化效果(H对悬挂键、缺陷的钝化),所以想得到H键的浓 度(%); 2.薄膜中有哪些化学键; 请问: 1.样品制备的要求(基底硅不能扩散?需要较高的电阻率和厚度?) 2.达到目的有没有更好的测试方法; 谢谢大牛为我指导一二。。 |
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