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硅基太阳能电池PECVD减反射钝化膜（氮化硅）中的键含量测试
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在许多文献看到用FT-ir测试薄膜中的键浓度，主要是Si-H、N-H，但是测试样品如何制备没有相信说明，用过一次三氯氧磷扩散、PECVD镀膜后的硅片去测的，振动峰很杂，跟文献上完全不同，有大牛解惑下么？ 主要目的： 1.主要考虑到膜的钝化效果（H对悬挂键、缺陷的钝化），所以想得到H键的浓 度（%）； 2.薄膜中有哪些化学键； 请问： 1.样品制备的要求（基底硅不能扩散？需要较高的电阻率和厚度？） 2.达到目的有没有更好的测试方法； 谢谢大牛为我指导一二。。 |
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