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1. The formed vacancy in the A layers will trap most of the incoming electrons incident to the BBB layers during their diffusion process, leading to a drastic increase in the C parameter. Concurrently, a drop in the D is obtained, as shown in Fig. 2. According to Refs.[15], inside the A layers, there exist significant amount of point defects such as Zn vacancies. 第一句是我的文章内容，求助大家帮我润色润色。 第二句是我要引用的文献，一般是不能直接引用的，所以想请大家帮忙改称我可以引用的放在我的文章里。 |
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2楼2013-03-04 10:06:42
crazyvolcano
至尊木虫 (职业作家)
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【答案】应助回帖
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phu_grassman: 金币+2, thanks. 2013-03-04 18:16:45
柠檬树: 金币+15, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, very good!thank you 2013-03-04 19:39:48
phu_grassman: 金币+2, thanks. 2013-03-04 18:16:45
柠檬树: 金币+15, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, very good!thank you 2013-03-04 19:39:48
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1. The vacancies formed in the A layers will seize most of the incident electrons in the BBB layers during their diffusion process, facilitating a drastic increase in the parameter C whereas a drop in the parameter D, as shown in Fig. 2. As reported in Ref. [15], there is a large amount of point defects such as Zn vacancies inside the A layers. |
3楼2013-03-04 11:20:00
