10楼: Originally posted by xbgdj1 at 2013-02-19 10:05:17
个人认为：
1.CVD工艺存在shadow等影响，纳米或微米级薄膜影响较小一下，如果厚度增加，可能出现薄膜空洞等现象;
2.材料在衬底上沉积时时会产生应力，随着厚度增加，应力不断增加，可能出现沉积薄层崩裂现象（特别 ...

14楼: Originally posted by xbgdj1 at 2013-03-07 12:59:09
建议你可以看看关于CVD模拟计算的论文，其主要观点为：
1.处于一定高度的气体分子，其扩散长度是不一致的，在中间区域可以理解为高斯分布，但达到衬底边缘时，其扩算长度会受到分子反弹的影响；先在衬底完成吸附-扩 ...

7楼: Originally posted by zihudie at 2013-02-19 09:04:26
请教一下为什么基底不平，坑里的沉不进去呢？不应该也是一点一点堆进去的吗？...

16楼: Originally posted by windyswust at 2013-03-20 16:22:48
不平是相对的，有时间还需要稍微不平点（比如对基片预处理），便于形核...

17楼: Originally posted by zihudie at 2013-03-21 21:34:47
大侠能不能具体点啊？为什么不平就便于形核呢？...

19楼: Originally posted by 5gaohua at 2013-05-14 00:26:06
可以的，现在的技术已经可以制备很厚的CVD钻石了（同质外延生长单晶金刚石），国外很多机构：华盛顿卡内基研究院地球物理实验室、美国海军研究实验室、日本国立高级工业科学技术研究所金刚石研究中心、日本大阪大学 ...