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plane1987新虫 (初入文坛)
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为什么奥氏体曾错能低,易形成位错马氏体，不易形成挛晶马氏体
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为什么奥氏体曾错能低,易形成位错马氏体，不易形成挛晶马氏体？不是曾错能高的晶体不易形成挛晶吗？ 求帮忙 |
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chensijie
铁杆木虫 (著名写手)
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【答案】应助回帖
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wercde: 金币+5, 专家考核, 感谢交流，过节了，奖励下 2013-02-04 22:52:41
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| 层错对马氏体相变的类型、相变临界点、马氏体形态及亚结构都有一定的影响,甚至会改变相变机制。OlsonGB等提出了某些钢中马氏体相变的层错形核机制:把层错区视为马氏体相变的晶胚,因而有体积自由能、界面能和应变能的变化。对Fe218Cr214Ni不锈钢,SatoA等[3]建立了化学自由能与层错能之间的微分关系式,但未能揭示出直接联系。徐祖耀[4]从热力学方面证明了低层错能材料的层错形核机制,认为相变驱动力与层错能有关。 |
2楼2013-02-04 19:29:44
comma
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【答案】应助回帖
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wercde: 专家考核 2013-02-04 22:52:22
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这个问题还是很复杂的，研究还在进行，尚未得到明确的结论...... 泛泛来讲一下，仅供参考： FCC结构正常的原子堆垛是…ABCABCABC…，当插入或抽出一层{111}面时，就是产生…ABCABCAB ABCABC…或者…ABCAB A CABC…的错误堆垛，就产生堆垛层错。堆垛层错使能量增加，单位面积层错所增加的能量称为层错能。 FCC结构中，层错在相邻的{111}密排面上每层都扫一下形成孪晶；层错在{111}密排面上隔一层扫一下形成ε-马氏体（即六方结构马氏体）。 由此可见，层错既可以诱导孪晶也可以诱导相变，到底如何判据？ 已有研究报道：低的层错能(≤20mJ/m2)有利于γ( fcc) →ε( hcp )马氏体相变，而高的层错能（>20mJ/m2）则抑制这种相变。当SFE<18 mJ/m2时，会应变诱导γ→ε-M相变；SFE<10mJ/m2时会产生热致的ε-M；当SFE<12mJ/m2时，会发生α‘-M相变；SFE在12～35mJ/m2时，应变诱发机械孪晶；SFE>30～40mJ/m2时，形变机制以位错滑移为主。 |
3楼2013-02-04 21:22:15
4楼2018-06-05 16:51:16
