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wuli8

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[求助] 如何增加vasp计算介电函数的取值密度

frequency dependent IMAGINARY DIELECTRIC FUNCTION (RPA, no local field effects)
     E(ev)      X         Y         Z        XY        YZ        ZX
  --------------------------------------------------------------------------------------
    0.000000    0.000000    0.000000    0.000000    0.000000    0.000000    0.000000
    0.150111    0.000270    0.000271    0.000271    0.000000    0.000000    0.000000
    0.300221    0.000540    0.000544    0.000544    0.000000    0.000000    0.000000
    0.450332    0.000812    0.000817    0.000817    0.000000    0.000000    0.000000
    0.600443    0.001086    0.001094    0.001094    0.000000    0.000000    0.000000
    0.750554    0.001363    0.001373    0.001373    0.000000    0.000000    0.000000
    0.900664    0.001644    0.001657    0.001657    0.000000    0.000000    0.000000
    1.050775    0.001929    0.001945    0.001945    0.000000    0.000000    0.000000
    1.200886    0.002221    0.002240    0.002240    0.000000    0.000000    0.000000
    1.350997    0.002519    0.002543    0.002543    0.000000    0.000000    0.000000
    1.501107    0.002826    0.002854    0.002854    0.000000    0.000000    0.000000
    1.651218    0.003142    0.003176    0.003176    0.000000    0.000000    0.000000
    1.801329    0.003469    0.003510    0.003510    0.000000    0.000000    0.000000
    1.951440    0.003810    0.003860    0.003860    0.000000    0.000000    0.000000
    2.101550    0.004166    0.004227    0.004227    0.000000    0.000000    0.000000
    2.251661    0.004540    0.004616    0.004616    0.000000    0.000000    0.000000
    2.401772    0.004938    0.005033    0.005033    0.000000    0.000001    0.000000
    2.551882    0.005363    0.005485    0.005485    0.000000    0.000001    0.000000
    2.701993    0.005826    0.005983    0.005983    0.000000    0.000001    0.000000
    2.852104    0.006337    0.006546    0.006546    0.000000    0.000001    0.000000

……………………
就是增大  E(ev)  的取值密度。现在是0-0.15eV取一个值，如果还想取密集些怎么办？哪一个输入参数控制这个值？谢谢！

[ Last edited by wuli8 on 2013-1-19 at 18:51 ]
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1楼 2013-01-19 18:48:19
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sara_ni

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
wuli8: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 谢谢 2013-04-08 20:38:06
你可以在vasprun.xml文件中找到更密集的数据，当然前提是你的ENDOS足够大。
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2楼2013-04-08 18:35:27
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wuli8

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引用回帖:
2楼: Originally posted by sara_ni at 2013-04-08 18:35:27
你可以在vasprun.xml文件中找到更密集的数据，当然前提是你的ENDOS足够大。

是的。
10倍的关系。
谢谢
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…………
3楼2013-04-08 20:38:37
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sara_ni

新虫 (初入文坛)
追问一个问题：NEDOS与vasprun.xml 中能量点的个数有关，但是两者之间不是相等的关系，你知道两者之间的关系吗？
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4楼2013-04-09 15:19:08
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wuli8

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引用回帖:
4楼: Originally posted by sara_ni at 2013-04-09 15:19:08
追问一个问题：NEDOS与vasprun.xml 中能量点的个数有关，但是两者之间不是相等的关系，你知道两者之间的关系吗？

我知道NEDOS越大能量点越密集。
数量上的关系不清楚。越密集计算量越大。
官方推荐的2000个人认为够用了
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…………
5楼2013-04-09 16:24:10
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myelt

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by sara_ni at 2013-04-09 15:19:08
追问一个问题：NEDOS与vasprun.xml 中能量点的个数有关，但是两者之间不是相等的关系，你知道两者之间的关系吗？

我计算得到的结果是NDOS等于OUTCAR里的取点数，难道你们的不是这样吗？
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希望结交从事理论计算的朋友，一块讨论学习，共同进步！
6楼2014-03-13 20:31:43
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wuli8

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引用回帖:
6楼: Originally posted by myelt at 2014-03-13 20:31:43
我计算得到的结果是NDOS等于OUTCAR里的取点数，难道你们的不是这样吗？...

你可以在vasprun.xml文件中找到更密集的数据
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…………
7楼2014-03-14 01:18:16
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