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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 综合其他 » 硅片减薄后的翘曲问题
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SleepTooLong

银虫 (小有名气)

[交流] 硅片减薄后的翘曲问题 已有1人参与

已经制造集成电路的硅片背面减薄后（100-75um）会有一定的翘曲，如何处理？一般情况下怎样减少翘曲的产生？可以做退火处理吗？
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1楼 2013-01-11 10:21:51
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
yanhualover: 回帖置顶 2013-02-22 05:26:28
yanhualover: 金币+1, 精彩回帖，值得鼓励。 2013-02-22 05:26:36
找thin wafer handling的资料看看。
减少翘曲一方面是减薄工艺的调整，另外还可以通过镀膜应力补偿。
退火很难减少翘曲了，因为有器件的片子是不能过高温的。
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2楼2013-01-12 21:45:58
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SleepTooLong

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-01-12 21:45:58
找thin wafer handling的资料看看。
减少翘曲一方面是减薄工艺的调整，另外还可以通过镀膜应力补偿。
退火很难减少翘曲了，因为有器件的片子是不能过高温的。

谢谢前辈对这个问题还有其他问题的解答，我去找相关资料看看。
赞一下 回复此楼
3楼2013-01-14 12:51:27
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