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银虫 (小有名气)

[交流] 硅片减薄后的翘曲问题已有1人参与

已经制造集成电路的硅片背面减薄后（100-75um）会有一定的翘曲，如何处理？一般情况下怎样减少翘曲的产生？可以做退火处理吗？

1楼 2013-01-11 10:21:51

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专家顾问 (著名写手)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
yanhualover: 回帖置顶 2013-02-22 05:26:28
yanhualover: 金币+1, 精彩回帖，值得鼓励。 2013-02-22 05:26:36

找thin wafer handling的资料看看。
减少翘曲一方面是减薄工艺的调整，另外还可以通过镀膜应力补偿。
退火很难减少翘曲了，因为有器件的片子是不能过高温的。

2楼2013-01-12 21:45:58

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银虫 (小有名气)

引用回帖:

2楼: Originally posted by yswyx at 2013-01-12 21:45:58
找thin wafer handling的资料看看。
减少翘曲一方面是减薄工艺的调整，另外还可以通过镀膜应力补偿。
退火很难减少翘曲了，因为有器件的片子是不能过高温的。

谢谢前辈对这个问题还有其他问题的解答，我去找相关资料看看。

3楼2013-01-14 12:51:27

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