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546672286金虫 (著名写手)
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[求助]
晶体结构，带系与半导体性质的关联性
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| 我是刚涉及半导体这个方向，希望大家帮我解决一下这几个问题：1）半导体性质的好与不好的评价标准是什么？2）带系与晶体结构之间有什么关联性？ 目前我有个化合物带系是3.57eV，希望大家给我提供建议，谢谢！最好附上文献，金币可以外加 |
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chiyuemo
铁杆木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1<br>houchenxmc: 金币+3, 谢谢参与 <font color="gray">2013-01-11 13:53:34</font>
546672286(sddtc888代发): 金币+1 2013-05-01 20:21:21
感谢参与，应助指数 +1<br>houchenxmc: 金币+3, 谢谢参与 <font color="gray">2013-01-11 13:53:34</font>
546672286(sddtc888代发): 金币+1 2013-05-01 20:21:21
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我觉着带隙与晶体结构间还是有一定关系的，例如TiO2。但明显没有确定的关系，而是与多种因素相关，比如金属元素的种类，其与其他金属元素的键合方式等等，因为带隙本质上来说与电子能级是有关系的。如果要具体了解带隙，一个是通过电化学测试的方法，一个是通过光化学测试的方法，具体方法很多。还有就是靠模拟计算，但如果以半经验方式算的虽然可能对类似的半导体计算较为准确，但对不同晶型的影响很难加以区分，而从头算差别较大。 目前有很多半导体对应晶型的带隙是可以在书上或文献上直接查到的，但引用时要注意其测试方法，不同测试方法得到的带隙可能差异很大…… |
5楼2013-01-10 12:20:25
avgon
至尊木虫 (著名写手)
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【答案】应助回帖
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546672286(sddtc888代发): 金币+2 2013-05-01 20:21:10
感谢参与，应助指数 +1<br>houchenxmc: 金币+3, ICEPI+1, 谢谢参与 <font color="gray">2013-01-08 15:53:59</font>
546672286(sddtc888代发): 金币+2 2013-05-01 20:21:10
| 1）先不说半导体，一种材料性质好与不好当然要把自己所得到的性能与应用的标准对比，性能可以面向应用当然是好的，性能如果还是目前国际上做出来最好的，那当然是优异的。比如我想让我制备出来的半导体发蓝光，而且强度要比较强，如果发不出这个光就算性能不好，光不够强也算不好，但是它发出来了很好很强的紫外光，这时如果你把它应用到紫外发光器件里那又是好的性能了。 2）晶体结构与带隙没有什么太大的关联性，能带的形成是与组成物质的元素种类及键合方式等有关，这个需要看下能带相关的理论。你做的化合物3.57eV，说明是一种宽带隙半导体了，带隙宽说明导电性不好，但只是这样的一个参数并说明不了什么问题，材料性能与晶体结构有着密切的联系。共价键形成的稳定四面体单胞的晶体一般都硬度大，如金刚石，氮化硼等。要说清楚这些内容可不是一句两句话说得清楚的。需要有固体物理，量子力学及半导体物理等方面的基础理论。由于问题较为基础，所以理解这方面知识需要看书系统学习下。推荐看下刘恩科的半导体物理学。 |
2楼2013-01-08 15:23:00
fds329
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