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avgon

至尊木虫 (著名写手)

ICEPI: 1
应助: 288 (大学生)
金币: 12539.7
散金: 200
红花: 40
帖子: 1345
在线: 551.7小时
虫号: 458435
注册: 2007-11-13
性别: GG
专业: 物理学I

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1<br>houchenxmc: 金币+3, ICEPI+1, 谢谢参与 <font color="gray">2013-01-08 15:53:59</font>
546672286(sddtc888代发): 金币+2 2013-05-01 20:21:10

1）先不说半导体，一种材料性质好与不好当然要把自己所得到的性能与应用的标准对比，性能可以面向应用当然是好的，性能如果还是目前国际上做出来最好的，那当然是优异的。比如我想让我制备出来的半导体发蓝光，而且强度要比较强，如果发不出这个光就算性能不好，光不够强也算不好，但是它发出来了很好很强的紫外光，这时如果你把它应用到紫外发光器件里那又是好的性能了。 2）晶体结构与带隙没有什么太大的关联性，能带的形成是与组成物质的元素种类及键合方式等有关，这个需要看下能带相关的理论。你做的化合物3.57eV，说明是一种宽带隙半导体了，带隙宽说明导电性不好，但只是这样的一个参数并说明不了什么问题，材料性能与晶体结构有着密切的联系。共价键形成的稳定四面体单胞的晶体一般都硬度大，如金刚石，氮化硼等。要说清楚这些内容可不是一句两句话说得清楚的。需要有固体物理，量子力学及半导体物理等方面的基础理论。由于问题较为基础，所以理解这方面知识需要看书系统学习下。推荐看下刘恩科的半导体物理学。