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xiaoganghehe铜虫 (著名写手)
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[求助]
X射线反射貌相术中晶片表面取向的选择
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小虫最近正在学习X射线貌相法，由于可 参考的数目不多，因此很多地方不懂，恳请各位牛人指导。请看下题： 在反射貌相术中，为什么对于Si（111）晶片只能选择Cr靶（220）反射或者Fe靶（331）反射？而对GaAs和Si（100）晶片只能选Fe靶（331）反射？ LiF（100）晶片可选Cr靶（220）反射？？（Cr靶波长为：0.228962nm；Fe靶为：0.193597nm） 为什么 题中还要给出靶材的晶面呢？难道做X射线反射貌相时还要考虑靶材晶面的选取？ |
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 仪器、分析 |
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【答案】应助回帖
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xiaoganghehe: 金币+20, ★★★很有帮助, 回答很有启发 2013-01-06 18:51:31
xiaoganghehe: 金币+20, ★★★很有帮助, 回答很有启发 2013-01-06 18:51:31
lz是国科大的么？ 解： 在反射貌相术中，35o<θ<55o，所以0.5736 对于Si，晶胞参数a=5.43 Cr靶（220）反射，sinθ=λ/2d=0.5963，符合上述条件；如用Fe靶（220）反射，sinθ=λ/2d=0.5042，不符合上述条件，因此只能选用Cr靶。 同理：Fe靶（331）反射，sinθ=λ/2d=0.7770，符合上述条件。 对于GaAs，晶胞参数a=5.653 Fe靶（331）反射，sinθ=λ/2d=0.7464，符合上述条件。 对于LiF，晶胞参数a=4.01 Cr靶（220）反射，sinθ=λ/2d=0.8075，符合上述条件。 |
2楼2013-01-06 16:38:37
xiaoganghehe
铜虫 (著名写手)
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虫友您好，我是国科大的。目前正在上陈老师的《材料结构分析》课，这个问题正是作业中的一道题，想了很久、也考虑了很多，不得其解，所以放上来听听大家的高见。 您的解释挺有道理，但我还有以下几个疑问： 1.反射貌相术中对角度的一般要求是35o<θ<55o，冯老先生《X射线衍衬貌相学》一书中也是这样讲的。但这只是一般条件，书中说对角度的要求可以放宽，25o-65o也行。对于Si，用Fe靶似乎也未尝不可。 2.Si、GaAs和LiF的晶胞参数不知您是怎样查到的？能否告知？我当时查了很多，后来是通过Jade软件查PDF卡片查到的。 3.题中还给出了靶材的晶面，不知给出晶面是什么意思？难道做反射貌相时还必须限定靶材的晶面？ 谢谢您！ |
3楼2013-01-06 19:09:14