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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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flywalker

新虫 (初入文坛)

[交流] 问一个Cr作模板深刻蚀SiO2和Si的问题 已有3人参与

想用Cr做模板深刻蚀SiO2和Si,同时Cr作为最终器件的一部分。刻蚀SiO2用的是C4F8+H2, 刻蚀Si用的是SF6+O2。现在的问题是,刻蚀完后,感觉Cr的质地很脆,用一个针尖去碰的话很容易破。问一下有经验的朋友,是不是那一步刻蚀让Cr发生了变性?谢谢!
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flywalker

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-19 15:45:13
是这个意思...

这倒是个好主意。只是刻蚀Cr会用到Cl,担心会把我的功能材料给侧向腐蚀掉,而且需要重新设计一个反板,恐怕老板不让了,呵呵。
9楼2012-12-19 16:01:28
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yswyx

专家顾问 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
Cr变薄了嘛,你可以测一下厚度。
SiO和Si的深度分别有多深呢?干嘛不直接用光刻胶做掩膜?

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2楼2012-12-14 15:10:15
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flywalker

新虫 (初入文坛)

送鲜花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-14 15:10:15
Cr变薄了嘛,你可以测一下厚度。
SiO和Si的深度分别有多深呢?干嘛不直接用光刻胶做掩膜?

谢谢你的回复!
我的样品是SiO2/Si基底,上面有一层功能材料,再上面是Cr的图样。用光刻胶做掩模的话就需要套刻。我想简化工艺,所以想到用Cr直接作为模板。
SiO2的厚度是1 um, Si的刻蚀深度是20 um。 我用AFM扫过,Cr是变薄了,而且变薄主要发生在刻蚀SiO2的过程中。但减薄后的Cr,与相似厚度的刚刚电子束沉积的Cr相比,仍然显得很脆、易破。
3楼2012-12-15 03:33:58
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yswyx

专家顾问 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by flywalker at 2012-12-15 03:33:58
谢谢你的回复!
我的样品是SiO2/Si基底,上面有一层功能材料,再上面是Cr的图样。用光刻胶做掩模的话就需要套刻。我想简化工艺,所以想到用Cr直接作为模板。
SiO2的厚度是1 um, Si的刻蚀深度是20 um。 我用AFM扫 ...

那你的Cr是怎么图形化的?难道不是光刻??

你在做ICP的时候,温度还是挺高的,功能材料层和Cr层,相当于做了一次热处理,或者说退火也可以。热失配的情况下,来回退火一翻,可能积累了大量应力。这可能是脆和易破的原因。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

4楼2012-12-15 23:11:24
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