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问一个Cr作模板深刻蚀SiO2和Si的问题
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flywalker
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问一个Cr作模板深刻蚀SiO2和Si的问题
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想用Cr做模板深刻蚀SiO2和Si,同时Cr作为最终器件的一部分。刻蚀SiO2用的是C4F8+H2, 刻蚀Si用的是SF6+O2。现在的问题是,刻蚀完后,感觉Cr的质地很脆,用一个针尖去碰的话很容易破。问一下有经验的朋友,是不是那一步刻蚀让Cr发生了变性?谢谢!
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2楼
:
Originally posted by
yswyx
at 2012-12-14 15:10:15
Cr变薄了嘛,你可以测一下厚度。
SiO和Si的深度分别有多深呢?干嘛不直接用光刻胶做掩膜?
谢谢你的回复!
我的样品是SiO2/Si基底,上面有一层功能材料,再上面是Cr的图样。用光刻胶做掩模的话就需要套刻。我想简化工艺,所以想到用Cr直接作为模板。
SiO2的厚度是1 um, Si的刻蚀深度是20 um。 我用AFM扫过,Cr是变薄了,而且变薄主要发生在刻蚀SiO2的过程中。但减薄后的Cr,与相似厚度的刚刚电子束沉积的Cr相比,仍然显得很脆、易破。
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3楼
2012-12-15 03:33:58
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Cr变薄了嘛,你可以测一下厚度。
SiO和Si的深度分别有多深呢?干嘛不直接用光刻胶做掩膜?
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2楼
2012-12-14 15:10:15
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3楼
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Originally posted by
flywalker
at 2012-12-15 03:33:58
谢谢你的回复!
我的样品是SiO2/Si基底,上面有一层功能材料,再上面是Cr的图样。用光刻胶做掩模的话就需要套刻。我想简化工艺,所以想到用Cr直接作为模板。
SiO2的厚度是1 um, Si的刻蚀深度是20 um。 我用AFM扫 ...
那你的Cr是怎么图形化的?难道不是光刻??
你在做ICP的时候,温度还是挺高的,功能材料层和Cr层,相当于做了一次热处理,或者说退火也可以。热失配的情况下,来回退火一翻,可能积累了大量应力。这可能是脆和易破的原因。
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4楼
2012-12-15 23:11:24
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4楼
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Originally posted by
yswyx
at 2012-12-15 23:11:24
那你的Cr是怎么图形化的?难道不是光刻??
你在做ICP的时候,温度还是挺高的,功能材料层和Cr层,相当于做了一次热处理,或者说退火也可以。热失配的情况下,来回退火一翻,可能积累了大量应力。这可能是脆和易 ...
再次感谢你的回复!
Cr是光刻后再沉积,如果想用光刻胶保护Cr的话,就需要设计一个反板或者用负胶再光刻一次。
是的,ICP的时候,温度是比较高的。之前测试过光刻胶做模板,光刻胶略有碳化。但我的材料在ICP之前,已经在300度下热处理过了,我想ICP的温度不会超过这个温度。
我现在猜测是ICP时气体与Cr可能有某种反应而使其变质变脆,比如使其grain size可能发生变化。不知道在沉积Cr的时候再加上一层Au能否起到保护Cr的作用?
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5楼
2012-12-19 10:34:17
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