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边界形貌对GQD电性能的影响
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Grapheneshowspromiseasafuturematerialfornanoelectronicsowingtoitscompatibilitywithindustrystandardlithographicprocessing,electronmobilitiesupto150timesgreaterthanSiandathermalconductivitytwicethatofdiamond.Theelectronicstructure of graphene nanoribbons (GNRs) and quantum dots (GQDs) has been predicted to depend sensitivelyonthecrystallographicorientationoftheiredges;however,theinfluenceofedgestructurehasnotbeenverifiedexperimentally.Here,weusetunnellingspectroscopytoshowthattheelectronicstructureofGNRsandGQDswith2–20nmlateraldimensionsvarieson the basis of the graphene edge lattice symmetry. Predominantly zigzag-edge GQDs with 7–8nm average dimensions aremetallic owing to the presence of zigzag edge states. GNRwithahigherfractionofzigzagedgesexhibitasmallerenergygapthanapredominantlyarmchairedgeribbonofsimilarwidth,andthemagnitudesofthemeasuredGNRenergygapsagreewithrecent theoretical calculations. 本文主要讲解了GQD和石墨烯纳米条带的尺寸及边界形貌对电性能的影响。 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Theinfluenceofedgestructureontheelectronic.pdf
2012-12-03 14:02:07, 1.52 M
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yuan9992楼
2012-12-03 15:56
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五星好评 顶一下，感谢分享！
2012-12-03 18:33
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