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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » "形成能" about "Fermi energy EF is set at VBM and CBM"
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aibude163

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1楼 2012-12-01 13:55:29
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wangziyan3

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
franch: 金币+5, 谢谢回帖交流， 2012-12-03 21:33:03
aibude163: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2012-12-20 08:48:36
那个公式是通用的，中性的话q=0，所以有些项会去掉。我觉得你完全没必要拘泥于公式怎么写的，考虑一下这个物理意义，费米能级是电子填充的最高位置，所以得失电子都是先从费米能级那动手的，得到或者失去一个电子得需要多少能量呢？得知道这个电子的起点和终点，一头肯定是费米能级了（带间跃迁和缺陷能级间跃迁先不考虑），另一头要么是VBM要么是CBM（看你的材料是p型还是n型）。然后乘以得失电子数q，不就出来了。这就是电子部分的能量变化。离子部分就是公式前面那一堆类似结合能的东西。你可能会问，费米能级的能量怎么确定？不需要确定。因为对于中性缺陷，qEF=0。对于带电荷缺陷，你看那个形成能的图（图2），EF是自变量，是一个变化的值，你只需要知道它前面的系数q就可以了（就是得失电子数）。
所以说，LZ可以根据这个想法自己把形成能写出来，数值跟他算的差不多就行了这个跟赝势选择等很多因素有关，不必追求精确。不用在乎他公式怎么绕的。据我所知这个公式的变化有n多种，其实没啥意思，说的都是一个事，而且公式都是抄的张绳百上世纪90年代的文章。
赞一下(3人) 回复此楼
8楼2012-12-03 15:27:48
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aibude163

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2楼2012-12-01 13:57:11
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4楼2012-12-02 15:10:52
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