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aibude163

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aibude163

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2楼2012-12-01 13:57:11
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aibude163

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3楼2012-12-01 17:47:39
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aibude163

禁虫 (正式写手)

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4楼2012-12-02 15:10:52
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wangziyan3

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
aibude163: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-12-03 09:24:37
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流, 2012-12-03 14:02:28
aibude163: 金币+5, 有帮助 2012-12-20 08:48:08
aibude163: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-12-20 08:48:17
当然不一样了,仔细看文中公式(1),注意EVBM是计算在形成能之中的,一般形成能计算也都是拿VBM的能量作为一个参考,因为你这个缺陷能级一般是在带隙中的嘛,所以减去价带顶能量。若是n型掺杂,则一般减去导带底能量(CBM),只是参考系不同而已没啥好说的。。。
至于费米能级位置,看实际实验中掺杂浓度了,所以拿VBM还是CBM作为参考,个人觉得需要看实验数据,载流子浓度啥的
5楼2012-12-03 09:08:56
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aibude163

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6楼2012-12-03 09:26:08
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xiaoxiao136

木虫 (正式写手)

是不是形成能都这么麻烦
7楼2012-12-03 11:20:29
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wangziyan3

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
franch: 金币+5, 谢谢回帖交流, 2012-12-03 21:33:03
aibude163: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2012-12-20 08:48:36
那个公式是通用的,中性的话q=0,所以有些项会去掉。我觉得你完全没必要拘泥于公式怎么写的,考虑一下这个物理意义,费米能级是电子填充的最高位置,所以得失电子都是先从费米能级那动手的,得到或者失去一个电子得需要多少能量呢?得知道这个电子的起点和终点,一头肯定是费米能级了(带间跃迁和缺陷能级间跃迁先不考虑),另一头要么是VBM要么是CBM(看你的材料是p型还是n型)。然后乘以得失电子数q,不就出来了。这就是电子部分的能量变化。离子部分就是公式前面那一堆类似结合能的东西。你可能会问,费米能级的能量怎么确定?不需要确定。因为对于中性缺陷,qEF=0。对于带电荷缺陷,你看那个形成能的图(图2),EF是自变量,是一个变化的值,你只需要知道它前面的系数q就可以了(就是得失电子数)。
所以说,LZ可以根据这个想法自己把形成能写出来,数值跟他算的差不多就行了这个跟赝势选择等很多因素有关,不必追求精确。不用在乎他公式怎么绕的。据我所知这个公式的变化有n多种,其实没啥意思,说的都是一个事,而且公式都是抄的张绳百上世纪90年代的文章。
8楼2012-12-03 15:27:48
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