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用TEM观察AlGaN晶体的位错
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下图是在蓝宝石上生长AlN/AlGaN材料，作者通过TEM观察生长材料的位错密度。有几个问题不明白，求高手给予指引： 1）图中的g=0002和g=11-20代表什么，是晶向吗？如果是晶向，图中n-Al0.2Ga0.8N的厚度是否该不同，例如咱们量一个六面体，直着量和斜着量厚度不同。 2）作者说AlN的表面是粗糙的，从图中能看出来吗？ 3）比较a和b，作者说主要是刃型位错，并且刃型位错，混合位错和螺旋位错的密度分别是1*10E9/cm-2、4*10E8/cm-2和1*10E8/cm-2。麻烦大侠告诉我是怎么看出来的。 为了解惑，刚注册了会员，第一次发帖，请多多指教。  TEM.JPG |
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【答案】应助回帖
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lijunjie84: 金币+1, 所言极是！ 2012-11-27 19:59:53
linhua0402313: 金币+2, 代楼主给金币 2012-11-28 15:04:52
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lijunjie84: 金币+1, 所言极是！ 2012-11-27 19:59:53
linhua0402313: 金币+2, 代楼主给金币 2012-11-28 15:04:52
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1.g矢量是透射电镜的操作矢量。采用这两种矢量是为了区分刃型位错和螺型位错，一般在（0002）下，只显示纯螺型和混合型位错的螺分量，在（11-20）下，显示纯刃位错和混合的刃分量。我们在计算位错密度时，都是在已知膜层厚度条件下，或是正带轴时获得准确的样品厚度条件下。 2.AlN表面粗糙我没看出来，P-InAlGaN表面粗糙我倒是看出来了，不知道是制样还是样品生长的原因，AlN作为形核缓冲层生长表面粗糙，但是从这个图里我看还是挺平直的，另外不能叫表面，而是界面吧。 3.利用透射电镜的弱束暗场像来确定位错密度现在都不怎么常用了，一般粗略是横向画条线，数穿过的位错条数来确定，但是太微观了，不是很准。但是位错类型确实可以通过这种方法确定。详细可以参考刘文西的材料结构电子显微分析（page 395-398）。或是电子显微分析其他书籍。 |
2楼2012-11-27 16:09:30
3楼2012-11-28 14:22:57
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4楼2012-11-28 14:25:45
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