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yuehaoliu

铁虫 (初入文坛)

[求助] 用TEM观察AlGaN晶体的位错

下图是在蓝宝石上生长AlN/AlGaN材料,作者通过TEM观察生长材料的位错密度。有几个问题不明白,求高手给予指引:
1)图中的g=0002和g=11-20代表什么,是晶向吗?如果是晶向,图中n-Al0.2Ga0.8N的厚度是否该不同,例如咱们量一个六面体,直着量和斜着量厚度不同。
2)作者说AlN的表面是粗糙的,从图中能看出来吗?
3)比较a和b,作者说主要是刃型位错,并且刃型位错,混合位错和螺旋位错的密度分别是1*10E9/cm-2、4*10E8/cm-2和1*10E8/cm-2。麻烦大侠告诉我是怎么看出来的。
为了解惑,刚注册了会员,第一次发帖,请多多指教。

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农夫言论

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lijunjie84: 金币+1, 所言极是! 2012-11-27 19:59:53
linhua0402313: 金币+2, 代楼主给金币 2012-11-28 15:04:52
1.g矢量是透射电镜的操作矢量。采用这两种矢量是为了区分刃型位错和螺型位错,一般在(0002)下,只显示纯螺型和混合型位错的螺分量,在(11-20)下,显示纯刃位错和混合的刃分量。我们在计算位错密度时,都是在已知膜层厚度条件下,或是正带轴时获得准确的样品厚度条件下。
2.AlN表面粗糙我没看出来,P-InAlGaN表面粗糙我倒是看出来了,不知道是制样还是样品生长的原因,AlN作为形核缓冲层生长表面粗糙,但是从这个图里我看还是挺平直的,另外不能叫表面,而是界面吧。
3.利用透射电镜的弱束暗场像来确定位错密度现在都不怎么常用了,一般粗略是横向画条线,数穿过的位错条数来确定,但是太微观了,不是很准。但是位错类型确实可以通过这种方法确定。详细可以参考刘文西的材料结构电子显微分析(page 395-398)。或是电子显微分析其他书籍。
2楼2012-11-27 16:09:30
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yuehaoliu

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 农夫言论 at 2012-11-27 16:09:30
1.g矢量是透射电镜的操作矢量。采用这两种矢量是为了区分刃型位错和螺型位错,一般在(0002)下,只显示纯螺型和混合型位错的螺分量,在(11-20)下,显示纯刃位错和混合的刃分量。我们在计算位错密度时,都是在已知 ...

谢谢,确实不能叫表面,是界面
另外g矢量旁边的的箭头是什么意思
3楼2012-11-28 14:22:57
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农夫言论

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yuehaoliu at 2012-11-28 14:22:57
谢谢,确实不能叫表面,是界面
另外g矢量旁边的的箭头是什么意思...

箭头表示方向。
4楼2012-11-28 14:25:45
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农夫言论

铁杆木虫 (正式写手)

建议你去看看推荐的书,很容易理解。
5楼2012-11-28 14:27:14
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yuehaoliu

铁虫 (初入文坛)

谢谢啊,今天买书去,金币收到了吗?
6楼2012-11-28 16:40:56
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