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用TEM观察AlGaN晶体的位错
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【答案】应助回帖
★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lijunjie84: 金币+1, 所言极是! 2012-11-27 19:59:53
linhua0402313: 金币+2, 代楼主给金币 2012-11-28 15:04:52
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lijunjie84: 金币+1, 所言极是! 2012-11-27 19:59:53
linhua0402313: 金币+2, 代楼主给金币 2012-11-28 15:04:52
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1.g矢量是透射电镜的操作矢量。采用这两种矢量是为了区分刃型位错和螺型位错,一般在(0002)下,只显示纯螺型和混合型位错的螺分量,在(11-20)下,显示纯刃位错和混合的刃分量。我们在计算位错密度时,都是在已知膜层厚度条件下,或是正带轴时获得准确的样品厚度条件下。 2.AlN表面粗糙我没看出来,P-InAlGaN表面粗糙我倒是看出来了,不知道是制样还是样品生长的原因,AlN作为形核缓冲层生长表面粗糙,但是从这个图里我看还是挺平直的,另外不能叫表面,而是界面吧。 3.利用透射电镜的弱束暗场像来确定位错密度现在都不怎么常用了,一般粗略是横向画条线,数穿过的位错条数来确定,但是太微观了,不是很准。但是位错类型确实可以通过这种方法确定。详细可以参考刘文西的材料结构电子显微分析(page 395-398)。或是电子显微分析其他书籍。 |
2楼2012-11-27 16:09:30
3楼2012-11-28 14:22:57
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