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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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小叮当1989

新虫 (小有名气)

[求助] 电化学阻抗谱解析理论

哪位懂得同学,给解释一下从超级电容器的电化学阻抗谱中可以读出哪些有用的信息?麻烦一一列出,我刚接触,不懂。如高频容抗弧能说明什么?它的半径大小说明哪些信息?低频区呢?Waburg扩散指什么?低频区斜率为45度,大于45度小于45度说明什么等等···超电容一般从EIS图中获取什么信息等等···
请大家不要推荐书,先谢谢了!

[ Last edited by 小叮当1989 on 2012-11-22 at 08:28 ]
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nano231

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 英英飞雪 at 2012-11-22 10:15:52
低频下的感抗弧和高频下的容抗弧,高频侧的电容性半圆是电化学反应电阻Rt和双层电容Cd引起的,低频侧的感抗弧的小半圆是由于活性离子的吸附引起的。在较高电位阳极极化中,膜的离子迁移率提高,同时由于活性离子的吸 ...

纠正一下,电化学反应电阻,英文是Rct,是charge transfer resistance的缩写。它反映的,是电荷在表面转移时的难易等,是电极动力学参数。对于超电容,我倒真不太清楚,物理机制的充放电过程,是不是存在这个电化学反应电阻。
7楼2012-11-25 11:14:14
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查看全部 10 个回答

英英飞雪

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
857688363: 金币+2, 感谢应助 2012-11-22 10:25:43
高频容抗弧反映的是电极表面电化学反应过程,低频容抗弧反映的是合金溶解时在合金表面形成的氧化膜,这种氧化膜具有一定的保护性
精彩人生
2楼2012-11-22 10:06:42
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英英飞雪

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

低频下的感抗弧和高频下的容抗弧,高频侧的电容性半圆是电化学反应电阻Rt和双层电容Cd引起的,低频侧的感抗弧的小半圆是由于活性离子的吸附引起的。在较高电位阳极极化中,膜的离子迁移率提高,同时由于活性离子的吸附作用加强,侵蚀作用大,造成的合金的腐蚀破坏。
精彩人生
3楼2012-11-22 10:15:52
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英英飞雪

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

Warburg元件是用来描述电荷通过扩散穿过某一阻挡层时的电极行为。在极低频率下,带电荷的离子可以扩散到很深的位置,甚至穿透扩散层,产生一个有限厚度的Warburg元件,如果扩散层足够厚或者足够致密,将导致即使在极限低的频率下,离子也无法穿透,从而形成无限厚度的Warburg元件,而CPE正好可以模拟无限厚度的Warburg元件的高频部分。当CPE-P=0.5时, ,其阻抗图为刚好为一个半圆,一般在pH>13的碱溶液中,由于生成致密的钝化膜,阻碍了离子的扩散通道,波特图则成45度斜率
精彩人生
4楼2012-11-22 10:34:24
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