| 查看: 4313 | 回复: 2 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
月下冰魂木虫 (正式写手)
|
[求助]
MOS器件Id-Vg曲线中，纵坐标单位问题
|
|
| 如题，在测试MOSFET器件的转移特性曲线中，纵坐标一般是Drain Current ID，单位是安培，但是有些文献中将其单位换成了 (μA/μm)，不知道um是什么，是栅极的W，还是L，还是其他的呢？用这个单位有什么好处呢，求助哇 |
回复此楼» 猜你喜欢
自荐读博
已经有8人回复
-
投稿Elsevier的杂志（返修），总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有8人回复
-
自然科学基金委宣布启动申请书“瘦身提质”行动
已经有4人回复
-
求个博导看看
已经有18人回复
gebilang
木虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 2273.7
- 散金: 200
- 红花: 1
- 帖子: 282
- 在线: 174.9小时
- 虫号: 829397
- 注册: 2009-08-17
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
3楼2012-11-17 19:21:58
月下冰魂
木虫 (正式写手)
- 应助: 49 (小学生)
- 金币: 3111.7
- 散金: 113
- 红花: 19
- 帖子: 444
- 在线: 158.4小时
- 虫号: 1191993
- 注册: 2011-01-18
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
2楼2012-11-17 17:55:27