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月下冰魂木虫 (正式写手)
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[求助]
MOS器件Id-Vg曲线中，纵坐标单位问题
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| 如题，在测试MOSFET器件的转移特性曲线中，纵坐标一般是Drain Current ID，单位是安培，但是有些文献中将其单位换成了 (μA/μm)，不知道um是什么，是栅极的W，还是L，还是其他的呢？用这个单位有什么好处呢，求助哇 |
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gebilang
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