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wangyong832银虫 (著名写手)
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[求助]
磁控溅射换靶材之后功率变化很大？
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我用脉冲直流反应磁控溅射制备氧化物半导体薄膜，换了一个新靶材（第一次用）之后，发现靶材电压比原来那个旧靶材提高了将近100V（用的是恒流模式）, 提高比例达17%，功率提高了近20%。关键是长出了的薄膜都变了。我其他参数都没变。 通常换新靶材后由于靶材表面几何形状的变化电压会有一定变化，但也不至于这么大吧？ |
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 反应磁控溅射 | 材料制备 | 磁控溅射靶材资料大全 |
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wangyong832
银虫 (著名写手)
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