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wangyong832银虫 (著名写手)
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[求助]
磁控溅射换靶材之后功率变化很大?
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我用脉冲直流反应磁控溅射制备氧化物半导体薄膜,换了一个新靶材(第一次用)之后,发现靶材电压比原来那个旧靶材提高了将近100V(用的是恒流模式), 提高比例达17%,功率提高了近20%。关键是长出了的薄膜都变了。我其他参数都没变。 通常换新靶材后由于靶材表面几何形状的变化电压会有一定变化,但也不至于这么大吧? |
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8楼2012-11-17 18:35:41
2楼2012-11-16 09:07:45
3楼2012-11-16 11:24:10
wangyong832
银虫 (著名写手)
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4楼2012-11-16 20:28:34










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