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maike01金虫 (正式写手)
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[交流]
循环伏安中的氧化还原峰的机理研究 已有1人参与
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循环伏安是用来研究电化学反应的一种重要手段，在锂离子电池中我们通常用来判断锂离子嵌入和脱嵌所发生的电位区间，与充放电曲线的平台相对应。循环伏安曲线受扫描速度的影响，会产生明显的极化现象（速度越快，极化越强，与充放电曲线的平台差异越明显），同时，扫描速度过快可能会导致一些电化学反应机理被忽略。 对金属氧化物而言，比较有意思的现象是通常还原峰的信息更容易被忽略，氧化峰却不太容易被忽略。 我觉得这是否与充放电机理有关，对于电化学反应引起的储锂材料，是不是本身的还原反应过程就比较容易形成一个连贯过程，导致不容易出现多个还原峰。而对于嵌入、脱嵌型储锂材料而言，在不同的电位下，会出现不同的嵌入状态，所以更不容易形成连贯过程，所以，通过降低扫描速度，比较容易发现多个还原峰。不知道大家怎么看这个问题？ 另外，如果循环伏安曲线中出现了对称的氧化、还原峰，通常我们会理解为可逆的电化学过程，但是这是否与充放电机理相关呢？是不是储锂机理为锂离子嵌入、脱嵌反应的材料才会具有对称的氧化、还原峰呢？ 还有一个问题就是，对于新材料的充放电机理研究，如何来描述循环伏安所对应的氧化还原峰的意义呢？简单的就是测试不同充放电位置的XRD。能否有更有效的研究方式来验证其充放电机理呢？ 十分感谢大家的参与！ |
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