应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 基础研究 » 再结晶与层错能
51/1返回列表
查看: 2386  |  回复: 6
只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

alun2245

金虫 (小有名气)

[求助] 再结晶与层错能

变形过程中，高层错能的金属不易发生动态再结晶。界定再结晶的方式有两种，1临界应变；2临界存储能。求教有没有关于能量与层错能的关系来界定是否发生了再结晶？
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
无明
1楼2012-11-08 21:03:13
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

hanying118

木虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by alun2245 at 2012-11-09 09:13:41
但是据我了解，层错能低的金属全位错容易分解成层错较宽的扩展位错，宽的扩展位错不易束集难以发生交滑移和攀移，所以容易再结晶...

正解
回复此楼
7楼2012-11-10 23:03:22
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 7 个回答

anxianghai7681

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
楼主的前提好像有些问题，应该是低层错能不易发生动态再结晶，高层错能易于再结晶。再结晶除了你说的两个因素外，变形方式，变形织构等都有很重要的影响。目前并没有成熟的理论来用能量与层错能的关系来衡量再结晶行为。
赞一下 回复此楼
2楼2012-11-09 04:08:13
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zwwz

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
低层错能使L-C位错锁等稳定，不全位错难于束集，不易发生动态再结晶。
赞一下 回复此楼
3楼2012-11-09 06:19:13
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

alun2245

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by zwwz at 2012-11-09 06:19:13
低层错能使L-C位错锁等稳定，不全位错难于束集，不易发生动态再结晶。

是，但是有没有层错能和存储能的定量关系呢？比如我计算出变形条件下的存储能和材料本身的层错能函数比较来判断此变形条件是否发生了再结晶
赞一下 回复此楼
无明
4楼2012-11-09 08:56:29
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 7 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭