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tianruixue

铁虫 (小有名气)

[求助] 如何判断半导体是本征带隙发光还是表面态发光?

我研究是方向是关于发光的,最近看了一些文献,上面说有本征半导体发光和表面态发光,文献上根据发光谱就你可以看出来到底是哪种发光,请问这是怎么判断的呢?谢谢。
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by tianruixue at 2012-11-14 11:38:21
如果发光峰变宽了,可能是什么原因造成的呢?谢谢。...

发光峰宽的话,有很多可能,要具体看你的材料的性质和结构。
对于半导体的材料,如果是带间的本征复合发光宽化,可能是能级非均匀展宽,这在纳米结构中较常见。说明你的样品尺寸或者纯度等不那么均匀。也可能是材料受到应力使能带有变化导致的。
如果是缺陷、表面态等的发光,那么可能是有多种缺陷、表面态的发光中心共存,而且能级位置差得不太多,发光峰就不是正态分布的,即不是很对称的包络。这些发光中心在外部作用下(比如退火)发生变化,也会导致峰的宽化。
具体不知道你的材料和实验细节,只能凭经验大致说一下。

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是金子总会发光!!!
6楼2012-11-14 16:01:12
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
tianruixue: 金币+1 2012-11-08 19:07:24
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-09 07:52:51
本征带隙发光峰所对应的能量(ev)和带隙宽度差不多。表面态是缺陷发光,能量小于带隙宽度。
是金子总会发光!!!
2楼2012-11-08 15:41:08
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tianruixue

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2012-11-08 15:41:08
本征带隙发光峰所对应的能量(ev)和带隙宽度差不多。表面态是缺陷发光,能量小于带隙宽度。

那如何根据吸收谱和发光谱来判断是那种发光呢?
3楼2012-11-08 19:08:13
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖


tianruixue: 金币+1 2012-11-08 21:25:50
吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽,也可以建立ahv和hv为坐标的曲线,具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体,有两个公式。

发光谱?你是说photoluminescence吧?就看发光峰对应的能量啊,比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子,如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光,如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。
是金子总会发光!!!
4楼2012-11-08 20:47:11
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