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shelay木虫 (正式写手)
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[求助]
vasp表面计算的结构优化问题
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大家好，我想用vasp计算表面结构的一些性能，我的做法是先做表面结构的优化，再计算性能，优化结构时选择ISIF=3，但是每次都是真空层都优化得没有了（注：真空层厚15A，足够大了），不知道怎么回事啊？ 另外我用castep采用基本上一致的参数优化真空层就不会消失，我看论坛里有些同学用ISIF=2或其它，但是我个人认为是不是ISIF=3才是全优化啊，一直为此很纠结，计算也一直没什么进展，请大家不吝赐教，感谢！ |
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【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流， 2012-11-05 14:28:09
shelay: 金币+3 2012-11-05 19:19:05
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流， 2012-11-05 14:28:09
shelay: 金币+3 2012-11-05 19:19:05
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ISIF=3意味着对体系的晶格常数，体积，内部原子全部弛豫，所以说对于表面来说可能会出现你所说的情况 你可以尝试采用ISIF=2【保持晶格常数和体积，对原子位置进行弛豫】 同时可以建立slab模型，即对某些原子层进行固定，在对体系进行弛豫 还有一点，有些表面材料如果在计算模拟时候取得够厚（层数够多）即使是ISIF=3也不会跑开，这个我计算中出现过，所以说你也可以查看一下是不是层数不够多，或是体系POSCAR建立有问题，比如说原子位置的z方向相对坐标，是相对于含有正空层厚度的z方向晶格常数而言的 |
3楼2012-11-04 19:53:08
花无刺
木虫 (著名写手)
二师兄
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2楼2012-11-03 16:55:42
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4楼2012-11-05 19:20:33
