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shelay

木虫 (正式写手)

[求助] vasp表面计算的结构优化问题

大家好,我想用vasp计算表面结构的一些性能,我的做法是先做表面结构的优化,再计算性能,优化结构时选择ISIF=3,但是每次都是真空层都优化得没有了(注:真空层厚15A,足够大了),不知道怎么回事啊?
另外我用castep采用基本上一致的参数优化真空层就不会消失,我看论坛里有些同学用ISIF=2或其它,但是我个人认为是不是ISIF=3才是全优化啊,一直为此很纠结,计算也一直没什么进展,请大家不吝赐教,感谢!
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花无刺

木虫 (著名写手)

二师兄

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流, 2012-11-05 14:27:54
ISIF=3 是改变体积的优化,一般说来,会使真空层变小。而且优化时,收敛很慢。

我是采用IFIS=2,脚本,计算一系列的点
2楼2012-11-03 16:55:42
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X.Wang

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流, 2012-11-05 14:28:09
shelay: 金币+3 2012-11-05 19:19:05
ISIF=3意味着对体系的晶格常数,体积,内部原子全部弛豫,所以说对于表面来说可能会出现你所说的情况
你可以尝试采用ISIF=2【保持晶格常数和体积,对原子位置进行弛豫】
同时可以建立slab模型,即对某些原子层进行固定,在对体系进行弛豫
还有一点,有些表面材料如果在计算模拟时候取得够厚(层数够多)即使是ISIF=3也不会跑开,这个我计算中出现过,所以说你也可以查看一下是不是层数不够多,或是体系POSCAR建立有问题,比如说原子位置的z方向相对坐标,是相对于含有正空层厚度的z方向晶格常数而言的
3楼2012-11-04 19:53:08
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shelay

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 花无刺 at 2012-11-03 16:55:42
ISIF=3 是改变体积的优化,一般说来,会使真空层变小。而且优化时,收敛很慢。

我是采用IFIS=2,脚本,计算一系列的点

改变什么参数计算一系列的点呢,愿闻其详
4楼2012-11-05 19:20:33
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