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shelay木虫 (正式写手)
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[求助]
vasp表面计算的结构优化问题
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大家好，我想用vasp计算表面结构的一些性能，我的做法是先做表面结构的优化，再计算性能，优化结构时选择ISIF=3，但是每次都是真空层都优化得没有了（注：真空层厚15A，足够大了），不知道怎么回事啊？ 另外我用castep采用基本上一致的参数优化真空层就不会消失，我看论坛里有些同学用ISIF=2或其它，但是我个人认为是不是ISIF=3才是全优化啊，一直为此很纠结，计算也一直没什么进展，请大家不吝赐教，感谢！ |
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shelay
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ISIF=3优化 真空层没有很正常！ 如果你创建的slab是asymmetric slab，那需要fix the bottom few layers to estimate the bulk properties，采用ISIF=2 to relax the top few layers。 如果你创建的slab是symmetric slab，那你可以 采用ISIF=3 to relax all the atoms，但是如果体系比较大，那计算量比较大，一般不这么操作。对于symmetric slab模型，一般fix the middle few layer，然后relax 上下 top的few layers。 |
2楼2012-11-03 21:36:15
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shelay: 金币+4 2012-11-05 19:16:41
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POSCAR中Selective dynamics关键词是否设置？ 你按照manual上slab的POSCAR设置来就行操作。“ISIF=3且用T F 来选择性fix原子”这个没试过，（感觉没有意义，所以没有尝试）， asymmetric slab和symmetric slab的差别：字面意思很好理解啊，一不对称的slab，一个对称性的slab，不对称性slab，比如你现在构建的直接在Z方向添加15angstrom的真空层，就属于asymmetric slab（此时，fix the bottom few layers）。symmetric slab就是在Z轴正负方向均添加15angstrom真空层。fix the middle few layers。 |
5楼2012-11-04 20:40:23
