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[交流]
关于晶格弛豫的讨论
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最近看一篇paper的时候，一段话没有理解，请诸位大牛赐教！ In contrast to other semiconductors, hydrogen is not amphoteric in ZnO, but occurs exclusively as a donor. It also gives rise to unusually large lattice relaxations. ===== 这里所说的lattice relaxitions，应该翻译为晶格弛豫吧？那么这个晶格弛豫该如何理解？黄昆的晶格弛豫讨论的是电子与声子的作用，那么这里所说的晶格弛豫是什么意思呢？ 根据上下文，个人的理解，作者提到：H作为施主的引起的晶格弛豫。难道说的是晶格常数的变化吗？ 在一个问题：这里所说的晶格弛豫对半导体材料的性质，如电学性质，光学性质等有什么影响呢？ ============================================== 通过对该文献的多次理解，加上对作者相关文献的查阅。我想我对该词的理解是错误的。这个lattice relaxation应该理解为对载流子的弛豫时间，也就是电学里面讨论的载流子散射机制中散射概率的减小。 谢谢大家！在此散完剩余金币，感谢大家的支持！ [ Last edited by floljf on 2012-11-7 at 21:16 ] |
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 科技 | 材料分析 |
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首先，要讨论晶格弛豫的话，必须以晶格离子电子云为媒介。 发光中心离子一般处于基态，其电子云在中心离子周围分布，近邻的离子也处于平衡态。当中心离子被激发后，电子云的分布发生变化，导致周围的电场（晶格势场）变化，再导致近邻离子的平衡位置发生移动（原来的晶格点阵已不再是平衡点）。 当电子云恢复基态后，近邻晶格离子重新回到原来的位置。这种由周围近邻离子从非平衡到平衡的过程就是晶格弛豫。 楼主所说的电子与声子相互作用也有道理，因为：由于离子平衡位置的变化，受激发的电子会影响晶格振动原先的状态，从而改变声子的状态。 |
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