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[交流]
关于晶格弛豫的讨论
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最近看一篇paper的时候,一段话没有理解,请诸位大牛赐教! In contrast to other semiconductors, hydrogen is not amphoteric in ZnO, but occurs exclusively as a donor. It also gives rise to unusually large lattice relaxations. ===== 这里所说的lattice relaxitions,应该翻译为晶格弛豫吧?那么这个晶格弛豫该如何理解?黄昆的晶格弛豫讨论的是电子与声子的作用,那么这里所说的晶格弛豫是什么意思呢? 根据上下文,个人的理解,作者提到:H作为施主的引起的晶格弛豫。难道说的是晶格常数的变化吗? 在一个问题:这里所说的晶格弛豫对半导体材料的性质,如电学性质,光学性质等有什么影响呢? ============================================== 通过对该文献的多次理解,加上对作者相关文献的查阅。我想我对该词的理解是错误的。这个lattice relaxation应该理解为对载流子的弛豫时间,也就是电学里面讨论的载流子散射机制中散射概率的减小。 谢谢大家!在此散完剩余金币,感谢大家的支持! [ Last edited by floljf on 2012-11-7 at 21:16 ] |
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首先,要讨论晶格弛豫的话,必须以晶格离子电子云为媒介。 发光中心离子一般处于基态,其电子云在中心离子周围分布,近邻的离子也处于平衡态。当中心离子被激发后,电子云的分布发生变化,导致周围的电场(晶格势场)变化,再导致近邻离子的平衡位置发生移动(原来的晶格点阵已不再是平衡点)。 当电子云恢复基态后,近邻晶格离子重新回到原来的位置。这种由周围近邻离子从非平衡到平衡的过程就是晶格弛豫。 楼主所说的电子与声子相互作用也有道理,因为:由于离子平衡位置的变化,受激发的电子会影响晶格振动原先的状态,从而改变声子的状态。 |
2楼2012-11-01 11:43:47
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