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third167银虫 (小有名气)
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[求助]
小白求助！光刻一个周期栅状电极
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如题，在铌酸锂单晶上面刻，有大神是否这么做过？ 类似于身表面波器件上的叉指状电极。 如图，黑条代表电极的金属部分，空白是没有电极的部分。 对 光刻 这种 维纳加工一点不了解，使用正胶还是反胶好啊 要是能指导我昨晚这项工作，或者对我指点一二，必有酬谢！  电极.jpg [ Last edited by kunpeng1782 on 2012-10-24 at 16:45 ] |
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 纳米器件工艺 |
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4楼2019-07-31 12:40:40
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
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【答案】应助回帖
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third167: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-10-29 16:23:05
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third167: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-10-29 16:23:05
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这和声表的叉指没啥区别，只是铌酸锂片子有热静电效应，比较容易碎片。 至于用正胶还是负胶，其实没有什么关系，随情况而定。关键看你的线宽和金属电极的材料。如果是线宽较粗，金属又是比较容易腐蚀的，那么用正胶，做腐蚀工艺比较容易。如果线宽细，金属又是属于比较难腐蚀的比如金，那么就用负胶或者反转胶，做剥离工艺。如果线条很细，不能采用光学光刻，只能做电子束光刻，那还是用正胶做腐蚀或者刻蚀比较好。 不知道你有没有光刻的条件？样品的规格是怎样的？如果需要光刻胶或者光刻的服务，都可以站内联系我。 |
2楼2012-10-24 17:01:12
quanten
金虫 (著名写手)
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【答案】应助回帖
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third167: 金币+6, ★★★★★最佳答案 2012-10-29 16:22:59
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first solution positive mask, negetive resist 1. Wafer baking, 180/10min 2. LOR 3A spinning 3000rpm, 180/5min 3. nLof 2020 spinning, 3000rpm, 110/1min30s 4. Mask align1, 3S 5. Post baking, 110/1min 6. Development , MIF 326/40s 7. Lift-off, EPR PG at room temperature Second solution EBL 1. e-beam-Lithographie - 2-Lagen-PMMA Vorbehandlung Belacken Ausheizen Plasma Heizplatte RR-Bereich Lack Drehz [U/min] Dicke [nm] Heizplatte Temp [°C] Zeit 190°C/5' AR-P649.04 4000 150 set190 2' Belacken Ausheizen RR-Bereich Lack Drehz [U/min] Dicke [nm] Heizplatte Temp [°C] Zeit AR-P669.04 4000 220 set 180 2' Belichtung Entwicklung Stop Tempern Belichter dose E [mW] Kontaktart Entwickler Zeit Medium Zeit e-beam 250 µC/cm2 -- -- AR 600-55 2 '/Megas. Isopropanol 5' -- |
3楼2012-10-24 22:27:20
