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third167

银虫 (小有名气)

[求助] 小白求助！光刻一个周期栅状电极

如题，在铌酸锂单晶上面刻，有大神是否这么做过？
类似于身表面波器件上的叉指状电极。
如图，黑条代表电极的金属部分，空白是没有电极的部分。

对 光刻 这种 维纳加工一点不了解，使用正胶还是反胶好啊



要是能指导我昨晚这项工作，或者对我指点一二，必有酬谢！

电极.jpg

[ Last edited by kunpeng1782 on 2012-10-24 at 16:45 ]
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1楼 2012-10-24 16:37:34
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当你当年

新虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by quanten at 2012-10-24 22:27:20
first solution positive mask, negetive resist
1.        Wafer baking, 180/10min
2.        LOR 3A spinning 3000rpm, 180/5min
3.        nLof 2020 spinning, 3000rpm, 110/1min30s
4.        Mask align1, 3S
5.        Post baking, 110/1 ...

在LN上涂胶需要做什么处理吗，能不能粘得住？
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4楼2019-07-31 12:40:40
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
third167: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-10-29 16:23:05
这和声表的叉指没啥区别，只是铌酸锂片子有热静电效应，比较容易碎片。
至于用正胶还是负胶，其实没有什么关系，随情况而定。关键看你的线宽和金属电极的材料。如果是线宽较粗，金属又是比较容易腐蚀的，那么用正胶，做腐蚀工艺比较容易。如果线宽细，金属又是属于比较难腐蚀的比如金，那么就用负胶或者反转胶，做剥离工艺。如果线条很细，不能采用光学光刻，只能做电子束光刻，那还是用正胶做腐蚀或者刻蚀比较好。
不知道你有没有光刻的条件？样品的规格是怎样的？如果需要光刻胶或者光刻的服务，都可以站内联系我。
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2楼2012-10-24 17:01:12
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
third167: 金币+6, ★★★★★最佳答案 2012-10-29 16:22:59
first solution positive mask, negetive resist
1.        Wafer baking, 180/10min
2.        LOR 3A spinning 3000rpm, 180/5min
3.        nLof 2020 spinning, 3000rpm, 110/1min30s
4.        Mask align1, 3S
5.        Post baking, 110/1min
6.        Development , MIF 326/40s
7.        Lift-off, EPR PG at room temperature

Second solution EBL

1. e-beam-Lithographie - 2-Lagen-PMMA                                                               
Vorbehandlung                 Belacken                                Ausheizen               
Plasma        Heizplatte        RR-Bereich        Lack        Drehz [U/min]        Dicke [nm]        Heizplatte        Temp [°C]        Zeit
        190°C/5'                AR-P649.04        4000        150                set190        2'
Belacken                                Ausheizen                               
RR-Bereich        Lack        Drehz [U/min]        Dicke [nm]        Heizplatte        Temp [°C]        Zeit               
        AR-P669.04        4000        220                set 180        2'               
Belichtung                                Entwicklung                Stop                Tempern
Belichter        dose        E [mW]        Kontaktart         Entwickler        Zeit        Medium        Zeit       
e-beam        250 µC/cm2         --         --        AR 600-55        2 '/Megas.        Isopropanol        5'         --
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3楼2012-10-24 22:27:20
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