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测得的薄膜伏安曲线整体沿Y轴方向下移,急急急。。。
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李楚兮
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测得的薄膜伏安曲线整体沿Y轴方向下移,急急急。。。
用半导体参数分析仪测得的I~V曲线,整体沿Y轴方向下移,以至于出现电压为0时对应的电流明显不为0,而是负的,所有样品都是这样。这是怎么回事啊,急急急。。。。不会分析,大家帮帮忙啊,谢谢啦!!!
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2012-10-20 16:49:10
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李楚兮
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9楼
:
Originally posted by
qingqiu
at 2013-01-03 16:19:14
4200SCS,偏离电流数量级大概为10(-9),并且在输出曲线中电流随电压增大而减小,请问楼主是否遇到过这种情况...
我之前用的也是这个型号的,后来用了新买的B1500A的半导体参数仪,基本上就不偏了,我认为这主要是所用仪器的偏差造成的,因为我把4200SCS的探针悬空,所得线也在Y轴下方,偏离量与测试样品时的偏移量基本吻合。
至于你说的“输出曲线中电流随电压增大而减小”的现象,我也遇到过,不过仅仅局限于测试起始电压附近,不知你的具体是怎样的,因为我做的是介质薄膜,我认为主要是电容的一个充电效应,因为尝试多次做短暂充电,这种情况就消失了。
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10楼
2013-01-03 16:59:00
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李楚兮: 金币+5, 谢谢您的回复,很有用~
2012-10-20 20:21:18
两个电极跟样品的接触势垒有差别,形成一个电场,这是很常见的,一般都会这样
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2012-10-20 17:08:03
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2楼
:
Originally posted by
wu1008
at 2012-10-20 17:08:03
两个电极跟样品的接触势垒有差别,形成一个电场,这是很常见的,一般都会这样
可是我的两个电极是做在薄膜表面的对称电极,两个势垒差应该是0
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3楼
2012-10-20 17:20:35
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wu1008
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李楚兮: 金币+5, 谢谢~
2012-10-20 20:17:44
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3楼
:
Originally posted by
李楚兮
at 2012-10-20 17:20:35
可是我的两个电极是做在薄膜表面的对称电极,两个势垒差应该是0...
那0点压的电流应该很小
如果比较小,是比较正常的,毕竟很难做到完全一样
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4楼
2012-10-20 17:34:06
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su-b08
7楼
2013-01-02 17:44
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