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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 材料测试 » 测得的薄膜伏安曲线整体沿Y轴方向下移，急急急。。。
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李楚兮

铜虫 (小有名气)

[交流] 测得的薄膜伏安曲线整体沿Y轴方向下移，急急急。。。

用半导体参数分析仪测得的I~V曲线，整体沿Y轴方向下移，以至于出现电压为0时对应的电流明显不为0，而是负的，所有样品都是这样。这是怎么回事啊，急急急。。。。不会分析，大家帮帮忙啊，谢谢啦！！！
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1楼 2012-10-20 16:49:10
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wu1008

金虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★
李楚兮: 金币+5, 谢谢您的回复，很有用~ 2012-10-20 20:21:18
两个电极跟样品的接触势垒有差别，形成一个电场，这是很常见的，一般都会这样
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2楼2012-10-20 17:08:03
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李楚兮

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wu1008 at 2012-10-20 17:08:03
两个电极跟样品的接触势垒有差别，形成一个电场，这是很常见的，一般都会这样

可是我的两个电极是做在薄膜表面的对称电极，两个势垒差应该是0
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3楼2012-10-20 17:20:35
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wu1008

金虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★
李楚兮: 金币+5, 谢谢~ 2012-10-20 20:17:44
引用回帖:
3楼: Originally posted by 李楚兮 at 2012-10-20 17:20:35
可是我的两个电极是做在薄膜表面的对称电极，两个势垒差应该是0...

那0点压的电流应该很小
如果比较小，是比较正常的，毕竟很难做到完全一样
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4楼2012-10-20 17:34:06
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李楚兮

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by wu1008 at 2012-10-20 17:34:06
那0点压的电流应该很小
如果比较小，是比较正常的，毕竟很难做到完全一样...

首先非常感谢您的回复，谢谢~
能不能稍微讲一下原理呢？
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5楼2012-10-20 20:17:33
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qingqiu

银虫 (小有名气)
★
李楚兮(金币+1): 谢谢参与
请问楼主的问题解决了吗？我现在也遇到同样的问题，但是不知道怎么解释……
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6楼2013-01-02 11:21:36
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李楚兮

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by qingqiu at 2013-01-02 11:21:36
请问楼主的问题解决了吗？我现在也遇到同样的问题，但是不知道怎么解释……

你的偏离电流0轴的数量级有多大，还有你用的也是半导体分析仪吗，是哪个型号的？
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8楼2013-01-03 14:49:50
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qingqiu

银虫 (小有名气)
★
李楚兮: 金币+1 2013-01-03 16:59:51
引用回帖:
8楼: Originally posted by 李楚兮 at 2013-01-03 14:49:50
你的偏离电流0轴的数量级有多大，还有你用的也是半导体分析仪吗，是哪个型号的？...

4200SCS,偏离电流数量级大概为10（-9），并且在输出曲线中电流随电压增大而减小，请问楼主是否遇到过这种情况
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9楼2013-01-03 16:19:14
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李楚兮

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by qingqiu at 2013-01-03 16:19:14
4200SCS,偏离电流数量级大概为10（-9），并且在输出曲线中电流随电压增大而减小，请问楼主是否遇到过这种情况...

我之前用的也是这个型号的，后来用了新买的B1500A的半导体参数仪，基本上就不偏了，我认为这主要是所用仪器的偏差造成的，因为我把4200SCS的探针悬空，所得线也在Y轴下方，偏离量与测试样品时的偏移量基本吻合。
至于你说的“输出曲线中电流随电压增大而减小”的现象，我也遇到过，不过仅仅局限于测试起始电压附近，不知你的具体是怎样的，因为我做的是介质薄膜，我认为主要是电容的一个充电效应，因为尝试多次做短暂充电，这种情况就消失了。
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10楼2013-01-03 16:59:00
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qingqiu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by 李楚兮 at 2013-01-03 16:59:00
我之前用的也是这个型号的，后来用了新买的B1500A的半导体参数仪，基本上就不偏了，我认为这主要是所用仪器的偏差造成的，因为我把4200SCS的探针悬空，所得线也在Y轴下方，偏离量与测试样品时的偏移量基本吻合。
...

谢谢你哦，我主要做的是OFET，4200SCS我也是刚开始用，还不大会，遇到了好多问题。你说的短暂充电具体怎么做啊，是反复加电压，还是？谢谢你哦
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11楼2013-01-03 19:40:23
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李楚兮

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by qingqiu at 2013-01-03 19:40:23
谢谢你哦，我主要做的是OFET，4200SCS我也是刚开始用，还不大会，遇到了好多问题。你说的短暂充电具体怎么做啊，是反复加电压，还是？谢谢你哦...

比如扫描电压为-15~15V,在起始-15V时出现“低头”的异常，我做出的措施是施加-15V直流电压并保持30秒左右，再进行-15~15V扫描电压测试，这种现象就消失了。OFET是哪一类材料？
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qingqiu
12楼2013-01-03 20:04:10
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qingqiu

银虫 (小有名气)
引用回帖:
12楼: Originally posted by 李楚兮 at 2013-01-03 20:04:10
比如扫描电压为-15~15V,在起始-15V时出现“低头”的异常，我做出的措施是施加-15V直流电压并保持30秒左右，再进行-15~15V扫描电压测试，这种现象就消失了。OFET是哪一类材料？...

是一种器件
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13楼2013-01-03 21:21:17
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qingqiu

银虫 (小有名气)
送鲜花一朵
引用回帖:
12楼: Originally posted by 李楚兮 at 2013-01-03 20:04:10
比如扫描电压为-15~15V,在起始-15V时出现“低头”的异常，我做出的措施是施加-15V直流电压并保持30秒左右，再进行-15~15V扫描电压测试，这种现象就消失了。OFET是哪一类材料？...

谢谢你哦，帮了我好大的忙
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14楼2013-01-03 21:21:35
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su-b087楼
2013-01-02 17:44   回复  
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