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掺银量非常小,电阻率下降非常多,怎么解释? 已有3人参与
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我做的是硫化铟薄膜,掺Ag量估算为0.2at%,(非常少了,眼屎大小的银还没蒸发完),电阻率下降了10的5次方量级,不知道怎么解释。 硫化铟是铟缺陷密度高的半导体,n型。 目前的想法是,Ag的掺入占据了In空位,引入施主能级;费米能级是不是要提高一些;如此小的掺杂量却有如此大的变化,是不是可以认为Ag的影响是类似于某种长程作用的影响。 求大神帮忙! |
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shining1989
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