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掺银量非常小，电阻率下降非常多，怎么解释？ 已有3人参与
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我做的是硫化铟薄膜，掺Ag量估算为0.2at%，（非常少了，眼屎大小的银还没蒸发完），电阻率下降了10的5次方量级，不知道怎么解释。 硫化铟是铟缺陷密度高的半导体，n型。 目前的想法是，Ag的掺入占据了In空位，引入施主能级；费米能级是不是要提高一些；如此小的掺杂量却有如此大的变化，是不是可以认为Ag的影响是类似于某种长程作用的影响。 求大神帮忙！ |
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3楼2012-10-14 21:09:51
wu1008
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2楼2012-10-14 18:31:39
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4楼2012-10-15 12:52:08
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5楼2012-10-15 13:00:36