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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » [b][u]对于半导体材料，如何精确确定导带底附近电子状态密度？[/u][/b]
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xm427

新虫 (初入文坛)

[求助] [b][u]对于半导体材料，如何精确确定导带底附近电子状态密度？[/u][/b]

本人曾经利用MS对半导体材料的DOS进行计算，目的是确定导带底附近电子状态密度，并对其精度有较高的要求。但本人量子力学计算状态密度的理论基础方面比较菜鸟，所以不知道利用MS进行第一性原理计算得到的半导体材料（特别对于GaN和InGaN材料）的导带底的DOS是否精确？有多精确？
如果有牛人有“如何精确确定导带底附近电子状态密度？”的其他方法，也希望各位牛人尽量提供一些，畅所欲言。

本人只想利用导带底附近（<1ev）的状态密度，只要该部分的状态密度精确可靠就可以，没有必要保证所有状态密度都准确可靠。另外，提供本人得到的GaN的能带图和状态密度，与方便各位解释，图中标记出为重点关注位置。

本人是西安电子科技大学，化合物半导体材料方面的研究生，本人积分不多，有多少就给多少了，希望各位多多指教！不胜感激！！

GaN DOS.png



GaN Band Structure.png
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受尽苦难而不厌
1楼 2012-10-13 13:19:51
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
fzx2008: 金币+1, 谢谢指教！ 2012-10-24 23:23:24
DOS图的纵轴不就是态密度的值吗
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3楼2012-10-24 22:24:02
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xm427

新虫 (初入文坛)
自己顶一下，我人帮解答一下吗？
赞一下 回复此楼
受尽苦难而不厌
2楼2012-10-18 11:43:03
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xm427

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by stractor at 2012-10-24 22:24:02
DOS图的纵轴不就是态密度的值吗

你好，很感谢你能回答！我指的是导带底的态密度值很小，不知道这个值是不是与实际情况相符？如果了解请务必帮说明一下！
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受尽苦难而不厌
4楼2012-10-28 00:54:51
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