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[b][u]对于半导体材料，如何精确确定导带底附近电子状态密度？[/u][/b]
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本人曾经利用MS对半导体材料的DOS进行计算，目的是确定导带底附近电子状态密度，并对其精度有较高的要求。但本人量子力学计算状态密度的理论基础方面比较菜鸟，所以不知道利用MS进行第一性原理计算得到的半导体材料（特别对于GaN和InGaN材料）的导带底的DOS是否精确？有多精确？ 如果有牛人有“如何精确确定导带底附近电子状态密度？”的其他方法，也希望各位牛人尽量提供一些，畅所欲言。 本人只想利用导带底附近（<1ev）的状态密度，只要该部分的状态密度精确可靠就可以，没有必要保证所有状态密度都准确可靠。另外，提供本人得到的GaN的能带图和状态密度，与方便各位解释，图中标记出为重点关注位置。 本人是西安电子科技大学，化合物半导体材料方面的研究生，本人积分不多，有多少就给多少了，希望各位多多指教！不胜感激！！  GaN DOS.png  GaN Band Structure.png |
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stractor
金虫 (著名写手)
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