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hy1987007

木虫 (著名写手)

[求助] 如何计算one-electron energy level

请问各位大侠在VASP中应该怎样计算one-electron energy level ,具体的用到哪些文件,需不需要做些什么修正,占据的电子数目是怎么看出来的啊?????

1.JPG
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hy1987007

木虫 (著名写手)

您好,我是这样算的,对于图中Sr缺陷的情况(不带电),此时体系的总电子数为964,对应的能带应该是第486条,查看EIGENVAL,找到对应的能量是482        3.5729   ,我的价带顶的值约为4,那么算出的值时-0.43,与文献中的+0.11差别很大啊,但是算出的形成能与文献中基本一致,到底哪里出现了问题呢??
8楼2012-10-11 13:30:33
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huangll99

木虫 (职业作家)

★ ★ ★
fzx2008: 金币+3, 谢谢指教! 2012-10-11 09:01:20
我觉得这篇文章应该是算的Gamma的本征值,还可以借助pdos来分析。
修正的话应该就是只修正了那些derived from 导带的缺陷态,用的是刚性的向上平移del(Gap)
2楼2012-10-10 18:43:16
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hy1987007

木虫 (著名写手)

确实是只计算了Gamma点的,您能说具体点吗,要用到些什么文件计算啊
3楼2012-10-10 19:27:14
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hy1987007

木虫 (著名写手)

既然文献中提到价带顶设为零,肯定是要减去价带顶的值的,文献中已说到价带顶的计算方法,但我不知道是在什么地方看缺陷引入的能级,一开始我用的是OUTCAR,但没算对,引入的电子数也没看出来
4楼2012-10-10 19:36:16
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