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拓扑绝缘体中的自旋轨道耦合
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从一个结构中,我们一般首先研究紧束缚模型,然后用自旋轨道耦合打开它的能隙。。。 可是我们如何写对它的哈密顿量呢?下面一例 如图中,根据二维模型给出了自旋轨道耦合哈密顿量在动量空间中的结果,可我看不懂,求高手指导一下!!! 1.png 2.png |
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