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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » 【求助】外行关于拓扑绝缘体的两个问题
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)

[交流] 【求助】外行关于拓扑绝缘体的两个问题 已有7人参与

拓扑绝缘体表面不受缺陷和杂志的散射是不是意味着表面是0电阻的？但是所有的资料说的都是表面为金属态而不是超导态，为什么呢？电阻出现在哪里？
还有现在实验做出来室温的拓扑绝缘体了吗？如果没有，困难在哪呢？
我只是个外行，处于好奇问一下。
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1楼 2010-12-08 17:54:38
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夕阳西下

金虫 (著名写手)
★ ★
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zzy870720z(金币+1):鼓励交流 2010-12-08 22:18:20
不受缺陷与杂质散射还受其他散射啊，比如热阻，位错等等。
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2楼2010-12-08 18:22:27
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guolinhao

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
这个不是很懂还请多多指教
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3楼2010-12-22 08:18:34
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mljphy

铁虫 (正式写手)

拓扑绝缘体

★ ★ ★
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zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-04-08 08:38:54
表面金属态是受时间反演保护的，只要没有破坏时间反演性，表面态就不会消失。非磁性杂质不会破坏时间反演对称性，Dirac锥不会受影响，电子由于缺乏背散射，电子可以绕过它继续前进。而磁性杂志破坏了时间反演对称性，将打开一个带隙，电子完全可以散射回去，表面态也会随之消失。
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一切都会慢慢好起来。
4楼2011-04-08 08:12:17
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franch

版主 (著名写手)
★ ★
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mazuju028(金币+1): 谢谢交流 2011-04-10 22:32:09
引用回帖:
Originally posted by mljphy at 2011-04-08 08:12:17:
表面金属态是受时间反演保护的，只要没有破坏时间反演性，表面态就不会消失。非磁性杂质不会破坏时间反演对称性，Dirac锥不会受影响，电子由于缺乏背散射，电子可以绕过它继续前进。而磁性杂志破坏了时间反演对称 ...

表面金属态是受时间反演保护的，只要没有破坏时间反演性，表面态就不会消失。


理论依据是？  可否提供相关文献链接
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遇弱则弱
5楼2011-04-10 16:56:04
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mljphy

铁虫 (正式写手)
★ ★ ★
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zzy870720z(金币+1): 谢谢提示 2011-04-11 17:12:54
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-04-11 19:58:17
引用回帖:
Originally posted by franch at 2011-04-10 16:56:04:
表面金属态是受时间反演保护的，只要没有破坏时间反演性，表面态就不会消失。


理论依据是？  可否提供相关文献链接

文献参考：Topological insulators in Bi2Se3,Bi2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface ,Haijun Zhang,et.al.,Nature Physics,5,438(2009)
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一切都会慢慢好起来。
6楼2011-04-11 14:13:37
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supconsimit

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by franch at 2011-04-10 16:56:04:
表面金属态是受时间反演保护的，只要没有破坏时间反演性，表面态就不会消失。


理论依据是？  可否提供相关文献链接

这种表面金属态是由体材料的电子在动量空间的拓扑性质决定的，确切的说起源于bulk中电子自旋-轨道相互作用。而自旋轨道耦合多发生在窄带隙半导体材料中。
从文献中看到的。
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7楼2011-07-12 16:59:04
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supconsimit

木虫 (正式写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-13 09:24:03
引用回帖:
Originally posted by dxcharlary at 2010-12-08 17:54:38:
拓扑绝缘体表面不受缺陷和杂志的散射是不是意味着表面是0电阻的？但是所有的资料说的都是表面为金属态而不是超导态，为什么呢？电阻出现在哪里？
还有现在实验做出来室温的拓扑绝缘体了吗？如果没有，困难在哪呢 ...

不是零电阻，只是无能隙的金属表面态。而超导态是有一个超导gap的。
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8楼2011-07-12 17:06:16
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njdxllwl

至尊木虫 (正式写手)
★ ★ ★
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youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-09-08 22:16:46
强三维拓扑绝缘体的体能隙是非常大的，特别是Bi2Se3，大约是0.3电子伏（等价于3600K），远远超出室温能量尺度，即在室温也稳定存在
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9楼2011-09-08 17:58:19
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cygnet5

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
6楼: Originally posted by mljphy at 2011-04-11 14:13:37
文献参考：Topological insulators in Bi2Se3,Bi2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface ,Haijun Zhang,et.al.,Nature Physics,5,438(2009)...

虫友知道有研究拓扑绝缘体的介电常数的吗？
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10楼2013-06-15 16:02:35
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