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maxismgao

金虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by Sciencer@jlu at 2012-09-06 22:07:43
ZnS为半导体,不完全绝缘,Al2O3的确会好一点,但沉积温度很高,实验条件要求也高,你可以试试

好的,谢谢!
11楼2012-09-07 10:18:06
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ycy181

金虫 (小有名气)

战士

【答案】应助回帖

镀SiO2可以的,透明不导电,
有目标,才有动力。
12楼2012-09-07 10:20:47
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by maxismgao at 2012-09-07 10:17:54
这么专业应该是找专门的厂商来加工的吧?...

很多实验时都有ALD,你可以打听打听
13楼2012-09-07 12:30:13
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)


蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-10 09:39:12
引用回帖:
13楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-09-07 12:30:13
很多实验时都有ALD,你可以打听打听...

另外,ALD沉积A2O3衬底温度也很低200左右就可以,不会对你的ITO电性能产生太多影响

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

14楼2012-09-07 12:37:16
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maxismgao

金虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
14楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-09-07 12:37:16
另外,ALD沉积A2O3衬底温度也很低200左右就可以,不会对你的ITO电性能产生太多影响...

实在是非常非常的感谢。。。!!!
15楼2012-09-10 08:50:07
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flyingstarme

新虫 (小有名气)

引用回帖:
7楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-09-06 21:51:18
电介质材料当然不导电,如果你怕击穿,最好用ALD沉积氧化铝,然后450退火...

我用AlD在Cu表面沉积氧化铝
还有在Cr表面沉积氧化铝
怎么都沉积不上去?
http://blog.sina.com.cn/flyingstarme
16楼2013-04-18 13:09:21
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ujn_cxd

捐助贵宾 (正式写手)


引用回帖:
2楼: Originally posted by Sciencer@jlu at 2012-09-06 16:02:37
ZnS,我用过的,可以,真空热蒸镀膜,20nm以上应该就可以

ZnS绝缘吗?
17楼2013-04-23 14:56:01
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