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ivyshii木虫 (初入文坛)
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利用PPMS测量半导体薄膜霍尔效应的具体操作问题
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使用PPMS测量半导体薄膜的霍尔效应，因为第一次使用该设备，有很多问题需要达人们的帮助。 我自己尝试过一次，但是结果明显不对，把过程写下来大家看看哪里不对。使用的是交流电，4线法，设置磁场5000 Oe，电流10 mA，频率30 Hz，输入长度，样品截面半径后直接测量，得到的霍尔系数是3，而且几个不同样品的结果都很相似。我的样品是n型半导体，得到的霍尔系数和电阻率都应该是负值吧？ 1. 对于PPMS，测量半导体薄膜的载流子浓度或迁移率，一般是用直流电还是交流电？（样品电阻率的数量级是10^-4 ohm·cm） 2. 如果用交流电，是4线法还是5线法？ 3. 磁场一般加多大，电流又加多大？ 4. 载流子浓度和霍尔迁移率是通过哪个公式算出来的？看书是N=1/(Rh*e)， μ=1/(ρ*N*e). 可是这个算出的μ值好像不对呀，随便找个文献，把N和ρ值带入μ=1/(ρ*N*e)这个公式中算不出给出的μ值？ |
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